集微网消息，天眼查显示，华润微电子（重庆）有限公司“一种GaN基HEMT器件及制作方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832254A。
本发明提供一种GaN基HEMT器件及制作方法，该方法包括：于衬底上形成外延叠层，于外延叠层上形成栅极、漏极与源极，于衬底上形成环绕于器件有源区的屏蔽环层，并形成第一金属互连层与第二金属互连层实现衬底与源极的短接，于第二金属互连层上形成钝化保护层，基于第二金属互连层和钝化保护层形成源极与衬底共用焊盘、漏极焊盘与栅极焊盘。本发明的GaN基HEMT器件及制作方法中，通过于芯片内部形成互连结构实现衬底与器件源极短接，无需单独设置衬底焊盘来实现衬底接地，提高了源极焊盘与漏极焊盘对芯片面积的占比，不仅提升电流导通能力，进一步降低寄生参数，并且提高电流分布均匀性，有利于改善器件的热分布，提高器件可靠性。