今年2月份,英特尔技术开发总经理Ann Kelleher在加利福尼亚州圣何塞举行的SPIE光刻会议上,表示ASML已向英特尔交付的最先进High NA EUV光刻机Twinscan EXE:5000的主要部件已经启动,该设备将提供0.55数值孔径的投影光学器件,单次曝光分辨率可低至8nm,比单次曝光13.5nm分辨率的典型Low-NA EUV的分辨率更高。目前第一套High-NA EUV系统安装在在ASML荷兰Veldhoven实验室,第二套系统则正在英特尔的俄勒冈州晶圆厂组装。
可以说,0.55数值孔径光刻设备让ASML和英特尔绑定在一起,后者将成为全新一代光刻设备的最大客户。