芯科技消息（文／罗伊）德国芯片制造厂英飞凌今（7）日宣布，旗下1200 V系列混合式碳化硅（SiC）与绝缘闸双极晶体管（IGBT）功率模块新增采用ANPC拓扑的EasyPACK 2B封装，现已开放订购。
英飞凌表示，此模块针对CoolSiC MOSFET 和 TRENCHSTOP IGBT4 芯片组的损耗甜蜜点进行最佳化，具有更高的功率密度及达48 kHz的切换频率，特别适合新1代1500 V太阳能光电和储能应用需求。
全新ANPC拓扑支持99%以上的系统效率。比起具有较低切换频率的设备，新模块在如1500 V太阳能串列型变频器的DC/AC级中可实现更小的线圈，因此，重量将远低于采用全硅组件的相应变频器。
此外，使用碳化硅的损耗也小于全硅的损耗，可减少排放的热、缩小散热器尺寸。整体来说，可打造更精巧外型的变频器，并节省系统成本。
采用Easy 2B 标准封装的功率模块具有领先业界的低杂散电感特性。此外，CoolSiC MOSFET 芯片的整合式本体二极管可确保低损耗续流功能，无须额外的碳化硅二极管芯片。NTC温度传感器有助于监控设备，PressFIT压接技术则可缩短生产时的组装时间。
英飞凌第2季营收20.15亿欧元（单位下同），年增2%，符合市场预期，顺利度过大陆车市景气疲软冲击；展望第3季，预估营收成长1%，部门毛利率14.5%。本年度展望（至9月30日）方面，预估全年营收成长5%、部门毛利率16%。
至于收购美国赛普拉斯半导体一案，英飞凌日前透露，确定这项交易将于今年底，最晚明年初完成。（校对/Jurnan）
图片来源：英飞凌