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关于注氢机，就半导体方面来说，目前我看到的主要有两个应用方向，一个是smart cut工艺，另一个是特色工艺中，比如IGBT背面工艺，沟槽场截止型，并且这两个应用方向所使用的注氢机是不一样的。smart cut工艺主要用于xoi异质集成材料制备或者soi单晶晶圆制备，比较前沿方向是在碳化硅衬底切割上的应用。smart cut工艺机型，凯世通和中科信都有，中科信主要是在xoi异质集成方向，比如薄膜铌酸锂材料制备上，以小尺寸为主，四寸，六寸，凯世通用于soi单晶晶圆制作，12寸为主，这类型注氢机属于大束流机型。另一款就是高能氢离子注入机，或者也可以叫高能质子注入机，用于沟槽型功率器件制作，比较前沿的用途是在预防或者减少碳化硅衬底及外延层之间的堆垛层错上，提高后续芯片制作良率上。高能氢离子注入机或者高能质子注入机和一般的高能离子注入机不同在于离子源的制造难度极大，各位可以去收索下这方面的离子源专利就清楚了，基本都是中科院物理研究院或者中国高能物理研究院及大学这些科研机构，这类型离子源属于核物理范畴了，用于国家的大科学装置上的。我查的资料，凯世通关于高能氢离子注入机的离子源及加速装置是有布局的，只是从18年说起到现在都没看到研发情况的确切信息。

表里面的新傲科技，上海沪硅股份子公司，SOI晶圆头部企业，用的就是注氢机。

尬吹，没必要躲躲藏藏，就是家骗子企业。

关于高能氢离子注入机的技术路线，凯世通提了两点：一是RF离子源，二是Tandemtron加速器

根本就不是水平虚的问题，问题是不说实话。