$英唐智控(SZ300131)$ SiC在半导体行业中被称为“黄金赛道”，更是有这样的说法：得碳化硅者得天SiC是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的SiC器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。SiC器件具备广阔的应用领域和市场空间。根据 Yole 报告，2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.62 亿美元，年化复合增速约30%。现今，国内外厂商不断加速在SiC领域的布局，一方面推动碳化硅材料的市场渗透率加速，另一方面加速抢占碳化硅晶片市场份额。