发力“追赶”
分析师表示,此举可能表明三星准备在用于人工智能的高端芯片市场发力,如高带宽内存(HBM),该公司在这一领域落后于SK海力士等竞争对手。
HBM是一款新型的CPU/GPU 内存芯片,简而言之就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此,HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的关键力量。
数据提供商TrendForce的数据显示,去年第四季度,三星在DRAM芯片市场的份额达到45.5%。然而,在小众但日益重要的HBM芯片领域,却落后于SK海力士。
BNK Investment & Securities分析师Lee Min-hee表示,“三星错过了很多全球人工智能的上升趋势。”不过好在,该公司已经开始发力追赶。
此前,三星电子在Q1财报中表示,已开始批量生产最新HBM产品——HBM3E 8H(八层堆叠),并计划在第二季度批量生产下一代HBM芯片-HBM3E 12H(12层堆叠)。此外,由于公司专注于HBM的生产,预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。
分析人士说,三星在年中更换如此高职位负责人是不寻常的,因为其大多数人事变动通常都在年初进行。
对此,三星方面表示,“希望他(Young Hyun Jun)凭借积累的经营经验,克服芯片危机。”