3.4 兆易创新与合肥长鑫签署12英寸晶圆存储器项目
2017年10月27日，兆易创新发布关于签署合作协议的公告，公告称为进一步推动发展，兆易创新与合肥市产业投资控股有限公司于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目，项目预算约为180亿元人民币。目标是在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率不低于10%；并约定如果达产5年内（2013年之前），公司（或共同认可的第三方）定向收购合肥产投权益。
3.5 晋华缓和，合肥长鑫睿力研发稳步推进
市场此前对于福建晋华遭到禁运事件十分关注、半导体板块整体收到压制，其中合肥长鑫睿力DRAM项目尤其受到关注。合肥长鑫作为三大存储芯片厂商中第一家正式投片的dram大厂，产业跟踪来看目前进展顺利，随着晋华事件缓和项目压制因素减小。
根据WSTS统计，全球半导体销售2017年4200亿美金，存储芯片销售达到1200亿美金，占比30%，其中DRAM 700亿美金。2018年预估存储芯片到1600亿美金、DRAM 1000亿美金。从IC Insights预计来看，2018年位居集成电路细分领域产值前两名的仍然是DRAM和NAND Flash，而出货量方面电源管理、无线通信、工业级汽车类模拟产品占据前五名中四席。
这也与我们的判断相符：
1）数据的爆炸增长是存储成长的核心抓手，而数据的成长来源是设备连接数以及设备产生数据量的增长。数据量的增长将同步带动数据处理能力——对应DRAM需求、和数据存储量——对应NAND Flash需求的成长。过去五年的设备连接数增长主要来自于智能手机等消费电子设备，而下一阶段物联网设备、汽车将是设备连接数的核心驱动。
2）我们怎么看存储产品的价格走势：
18Q4以及19Q1由于消费电子需求疲软、数据中心建设阶段性放缓因素在需求端对DRAM价格产生一定影响，连续两季度回调，但是我们从最新小米、三星发布机型来看，2500元+的中端机型8GB甚至12GB内存已经成为标配，5G时代只会更多；而数据中心我们判断随着AMD 7nm新品以及intel 新品后续发布，将开启新一轮大规模资本开支、建设周期，谷歌近期150亿美金资本开支规划亦强化这一预期；
DRAM与NAND Flash最大不同在于制程迭代速度与效率，目前整体由20nm向1X/1Y nm微缩，进入17nm以下良率提升难度加大导致单位成本降幅显著放缓，三星1y nm 8Gb DDR4产品单位成本仅比1x nm减少约11%，如果良率低于75%则两者成本相差无几。
四、得DRAM者得天下，三大领域需求驱动DRAM继续成长
4.1第四次硅含量提升周期到来，存储器是主要推动力
2017年开启全球半导体第四次硅含量提升周期，物联网、AI、智能驾驶与5G四大核心创新应用将驱动数据量指数式增长，进而驱使全球存储器需求高速增长，第四次硅含量提升周期内，存储器芯片将成为推动半导体集成电路芯片行业上行的主要抓手。
2017年存储器领域的资本开支（CAPEX）占比比例将近40%，超过晶圆代工，跃升为半导体集成电路资本开支第一大细分领域。2017年，存储器芯片占比全球半导体资本开支第一大细分领域，占比比例将近40%，其中NAND/NOR占比24%，DRAM占比接近16%；晶圆代工占比比例28%，仅次于存储器芯片领域的资本开支；MCU和MPU占比比例为14%，逻辑电路芯片占比比例为9%；模拟电路以及MEMS/ASIC等占比比例9%。
跟据IC Insights和SEMI的最新相关报告，因为DRAM、NAND、NOR等存储器芯片供求紧张，刺激众多存储器芯片和晶圆代工产商进行产能扩张和制程设备的研发升级，2017年全球半导体集成电路领域的资本开支（CAPEX）进行上修，从700多亿美金提升到800多亿美金，同比增速从10%提升到20%。其中存储器芯片的资本开支将超过320亿美金，同比增长40.5%以上。FLASH资本开支预计超过190亿美金，同比增速超过33%，DRAM资本开支预计超过130亿美金，同比增速超过53%。
4.2国内存储严重依赖进口，替代空间巨大
从2008年到2017年，全球半导体市场状况较为良好，美国、日本、欧洲及亚太地区是目前全球半导体市场的主要分布地区，半导体销售整体展现稳定增长趋势。2017年全球半导体产业产值达到4122亿美元，创下历史新高，相比2016年增长了21.6%，其中，集成电路产品市场销售额为3401.89亿美元，同比增长22.9%，占据全球半导体市场总值的83.2%的份额。
从地区上看，中国地区销售额达到1315亿美元，居世界首位，占据全球市场的32%的份额，起到较大的助推作用，北美（美国）市场销售额为864.8亿美元，位居次席，占到全球市场21.2%的份额。
近年来我国已经成为全球最大的半导体市场，而且占全球的市场份额在不断增长。2015 年，全球半导体市场整体略有下滑，总体销售量下降了0.2%，而我国是全球唯一保持增长的国家，销售额达到5609.5 亿元，产业增长速度达 14.8%，在世界半导体市场份额占比达 26.9%。2017年，我国半导体销量达到7200.8亿元，同比增长12.9%。到 2018 年底，我国半导体产业销售额预计将增长至 8295.3 亿元，增长率达到15.2%。韦尔作为国内优秀的半导体分销和设计厂商，将充分受益于我国半导体产业的扩张。
存储类产品方面，2016中国大陆地区存储芯片市场规模约413亿美元，占据全份额球54.1%。2017年，存储类产品占国内半导体产业30.2%，增幅46.9%，为各分类中占比最高、增速最快。
长期以来，我国芯片需求90%依赖于进口，额度相当高。据海关总署数据，2018年1-8月，我国芯片进口额为2026.24亿美元，同比上涨28.7%。
根据DRAMeXchange统计，DRAM市场的供应形势正从紧张转为宽松。一些智能手机品牌和服务器制造商已降低了18H2出货量预测，经历上半年出货量增长，DRAM库存逐渐下降。同时，终端产品制造商对18下半年及后期的需求情况表示不确定性。因此价格可能短期受库存影响有所扰动。
根据IHS统计与预测数据，DRAM市场需求仍然强劲，但价格承压下滑。由于数据中心、汽车、工业和物联网等方面应用增长，DRAM需求增长不会迅速下降，预计2019年仍能保持21.2%的同比增速，略低于2018年的23.4%。从价格上看，预计2018年四季度将开始进入同比下降阶段，预计2019年同比下降18.8%，将承受较大压力。
制程方面，三星目前仍处于绝对领先地位，主力制程18nm良率已经超过85%，预计今年在三星内部占比将接近五成，明年往七成的比重迈进。而在17年12月份，三星更是宣布正式量产第二代10nm级别1Y nm 8Gb DDR4芯片，性能提高10%同时功耗降低15%，Die Size下降约30%。
SK海力士目前以21nm制程为主，预计今年年底占比约七成，其余为25nm制程。17年受限于工厂空间，21nm制程已无再提升比重的计划。17年底海力士18nm制程将进入量产阶段，也预计2018年将会用18nm制程扩大产出量与占比。M10厂由于工厂较旧，转进18nm制程将产生较大的晶圆损失，我们认为目前主要关注无锡二期的进展和具体产品、制程规划。
美光目前主力制程仍然是20nm与25nm，17年致力于17nm制程的转进，但从晶圆的产出颗粒来看，其17nm制程仅等同于三星 20nm制程，故技术来看算是目前三巨头中较为落后。在产能上基本上也都已满载，唯一还有剩余空间可以利用的只有台湾美光（原瑞晶）的 A2 厂区，此场区虽然因为17nm制程的转进，已经有部份机台进驻，但评估仍有部分空间可供利用，此外美光目前尚无兴建新工厂计划。从明年大厂的扩厂投资看来属于相对保守，产能扩张甚至技术转进都将趋缓。
4.3大陆DRAM产业独立自主是关键
中国大陆DRAM的发展异常艰辛，独立自主是关键。中国半导体产业起步较早，也是率先建立起半导体工业体系的国家之一。但是随后日本发展迅速，而中国遭遇以美国为首的全面技术封锁，中国开始逐渐落后于美日。韩国和中国台湾省半导体产业在美国的帮助下，也实现快速发展，迅速超过缚手缚脚的中国大陆。中国大陆DRAM产业曾在1998-2009年有崛起的势头，中芯国际将中国大陆与全球领先者的差距有4-5代缩小到仅剩一代，但是又遭遇台积电阻扰，被迫放弃生产DRAM芯片。2017年兆易创新收到南亚科阻扰，与ISSI的并购案也以失败告终，独立自主是中国的唯一道路。没有完整的、独立自主核心技术的DRAM产业体系，就会永远受制于人，只有独立自主才是唯一出路。2017年兆易创新联手合肥长鑫，开辟中国DRAM产业发展新纪元。
“九零工程”开辟DRAM发展之路，中国DRAM产业第一次亮剑。“九零工程”是我国半导体产业的第一次大投入，“九零工程”完成64M DRAM生产研制，64M DRAM生产线的建成投产标志中国人从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线，这让中国DRAM崛起成为可能。随后“18号文”把半导体产业第一次正式提升到国家战略层面。“51号文”进一步完善软件产业和集成电路产业发展政策有关问题的复函。18号文和51号文明确中国集成电路产业发展的战略和方向，而且从投融资、税收、产业技术、进出口、软件企业认定、知识产权保护等方面制定一系列有效可行的措施，直接促进中国半导体集成电 路芯片产业的蓬勃发展，推动中国半导体人的“第一次DRAM亮剑”。
台积电阻扰，中芯国际梦断DRAM。在中芯国际快速发展的时候，台积电开始亿诉讼的方式阻扰中国DRAM的发展。2002年台积电开始起诉中芯国际，理由是台积电离职员工涉嫌通过电子邮件将公司重要资料外泄给中芯国际。这场专利诉讼，从2002年持续到2009年，并且在美国和中国台湾省同时发起诉讼。台积电在2005年1月30号一度达成和解，但是于2006年8月25号又重新上诉，并且套极端提请美国国籍贸易委员会地洞对中芯国际的337调查。2009年，美国加州联邦法院判决中芯国际败诉，中芯国际接受了台积电提出的“和解条约”，括中芯国际在内，以及武汉新芯、成都成芯等所掌控的中国大陆晶圆厂，从2010年1月1号开始，全面停止DRAM芯片的生产研制。
大基金开启第二次大投入，存储器投资热潮再起。国家大基金成立正式标志着中国人开启了在半导体集成电路芯片领域的“第二次大投入”。2014-2016年三年以来，中央和各省市合计预期投入的金额规模超过4650亿元，而2016年中国国内半导体集成电路产值也才4300亿，大基金对中国半导体发展的决心不言而喻。而大基金重点突破的方向就是存储器芯片，2017-2018年中国大陆预计新增12寸产能89.5万片/月，是现有产能31万片/月的288%。其中三大存储器芯片产商，合肥长鑫（睿力）、长江存储、晋华集成，合计产能是48.5万片/月，占比新增产能54.2%。
2015年7月，中国紫光向全球第三大DRAM厂商-镁光科技，提出230亿美金收购要约。结果被拒绝，理由是美国政府以信息安全方面的考虑阻挠这项交易。2017年，兆易创新公告收购ISSI失败，媒体报道主要是南亚科的干扰和反对。很显然外界不希望有中国这个竞争者加入存储器市场竞争，因此独立自主成为崛起的唯一道理。紫光宣布投资240亿美金，在武汉建设国家存储器基地。晋华与联电合作投资370亿元，建设12寸晶圆厂。合肥长鑫投资494亿，2018年建成12寸晶圆厂。上述三大项目总投资超过2450亿人民币，约360亿美金。中国已经做好了再次亮剑的准备。
4.4 5G支持云计算、IDC与边缘计算成为server DRAM最大驱动力
第四波硅含量提升周期的四大核心创新驱动是AI、物联网、5G与智能驾驶，从人产生数据到接入设备自动产生数据，数据呈指数级别增长。智能驾驶智能安防对数据样本进行训练推断、物联网对感应数据进行处理等大幅催生内存性能与存储需求。
所有数据都需要采集、存储、计算、传输，存储器比重有望持续提升。同时传感器、微处理器（MCU/AP）、通信（RF、光通讯）环节也将直接受益。我们强调，第四次波硅含量提升周期，存储器芯片是推动半导体集成电路芯片行业上行的主要抓手，密切关注大陆由特殊、利基型存储器向先进存储有效积累、快速发展进程。
5G不仅为数据传输提供通道，其本身建设组网对DRAM的需求也不容忽视。5G网络整体架构大致可分为有源天线AAU（天线+射频拉远单元RRU）、基带资源池BBU（分布单元DU/集中单元CU）、核心网（RNC/EPC）。
数据中心对服务器的需求成为整体服务器市场出货成长的关键。根据DRAMeXchange对Google、Amazon、微软、Facebook与中国BAT七家巨头IDC服务器装机量统计，近年来增速维持在23%-35%之间，其中2017年仅这七家服务器装载量有望超过840万台。且2020年前，七大巨头仍有超过十座数据中心正在进行规划新建。近两年来数据中心的服务器需求预计在2020年前将继续维持每年二至三成的年增率。
数据处理是DRAM主要驱动力，服务器重要性逐渐凸显。数据的爆发式增长和数据处理能力相互促进，大量的数据需要更强的数据处理能力，而数据处理能力的提升也促进了人们不断获取新的数据。根据IHS数据，DRAM在数据处理领域的需求最大，占比月50%，并且还会逐渐增长。服务器是数据处理应用的主要工具，其需求不断提升，并且重要性也愈发凸显，预计2019年底便能到达60%的应用比重。
泛物联网时代来临，边缘计算爆发在即，带来的内存性能需求将成为中长期DRAM的成长驱动。美国CMU将边缘计算定义为“一种新的计算方式，这种模式将计算与存储资源部署在更贴近移动设备或传感器的网络边缘”，其核心在于“贴近”终端，因此在实时、快速响应是边缘计算产生的核心痛点所在。带宽、延迟与抖动等不稳定因素都更易于控制和改进。
借用一个形象比喻，边缘计算类似于人类的神经末梢，对于简单的信息可以直接处理；对于复杂的信息则传输给云端（即大脑）。边缘计算可能的形式或者说载体：从当前来看，我们对边缘计算的载体进行大胆预测——微基站、智能安防摄像头、车载电脑、路由器和微型数据中心最有可能成为边缘计算可能的载体。
对于有实时数据处理要求的场景，边缘侧存储与处理将越来越重要。譬如智能驾驶，在监测到障碍物时，如果无法及时进行智能化决策，控制方向避开障碍物，而是先传入云端再下发指令到车载终端的话，因信号传输等原因稍有延迟就会导致事故的发生。又如智能安防摄像头，美国部署了3000余万个摄像头，每周生成超过40亿小时的海量视频数据。这些数据上传至云端数据中心进行处理，不仅需要传输成本，更需要存储成本。而这些数据信息如果能在网络边缘侧就被存储与处理，那将大大减少成本并提高设备处理效率。
4.5移动式DRAM有望保持高速增长
根据SIA及海关数据，2017年全球半导体销售4200亿美金，存储芯片销售1200亿美金，DRAM达到720亿美金，占全球半导体销售的17%。根据性能、功耗、架构、特定功能等不同，DRAM可以主要分为标准型内存（主要用于PC）、服务器内存（主要用于服务器）、移动式式内存（用于智能终端及汽车）和绘图用内存（显存）。
由于智能手机的崛起，移动式内存近年来跃升为主力内存产品，目前占比约为42%，其中三星在移动式内存领域份额约为60%。受益于以OPPO、vivo、华为等为代表的新兴安卓品牌内存提升，移动式内存今明两年有望继续保持21%/19%的增速成长。
从2018年5月 加最新旗舰机一加6拆解情况来看，其主板电路中，有一片128GB嵌入式通用闪存和一片8 GB LPDDR4X DRAM。
显存全称显示存储器，用来存储显示芯片处理过或者即将读取的渲染数据。在显存领域，随着显示芯片性能的日益提高，其数据处理能力变得更强，使得显存数据传输量和传输率的要求变得更高，显卡对显存的要求也更高，现时大部分显卡使用的是GDDR2至5代规格的显存。
GDDR5（第五版图形用双倍数据传输率存储器）基于DDR3 SDRAM内存，是一种高性能显卡使用的同步动态随机存取存储器，具有高带宽接口，专为显卡设计，用于游戏机和高性能计算。
从英伟达Quado系列显卡的发展历程看，其显存从GDDR5发展到GDDR5X，将于4Q18堆出GDDR6，均围绕DDR SDRAM技术发展。GDDR5X与GDDR5的区别是将数据预读从8n提升到了16n，从而使带宽翻倍。GDDR6提供增加的每引脚带宽（高达16 Gbps）和更低的1.35 V工作电压，相对于GDDR5X提高性能同时降低了功耗。
VRAM是DRAM的双端口变体，它允许在同一时间被所有硬件（包括中央处理器、显示芯片等）访问。VRAM有两组数据输出引脚，因此可以同时使用两个端口。第一个端口DRAM端口由主计算机以类似传统DRAM的方式访问。第二个端口即视频端口，用于图形芯片组提供高吞吐量，串行化数据通道。英伟达Quado系列显卡用VRAM容量不断提升，从24GB发展到48GB，仅两年就提升了一倍。
在MacBook Pro 13寸Touch Bar拆解中，使用了一片1GB Micron LPDDR4，2片64 GB闪存，4片16 Gb LPDDR3 2133 MHz（总共8 GB），背面还有2片64GB闪存，整个Touch Bar电路闪存容量达256GB。
4.6智能驾驶时代来临，车载存储迎来爆发期
18年1月国家发改委发布《智能汽车创新发展战略》，智能汽车战略方向加速渗透，存储先行。从技术层面看，汽车始终是新技术应用的重要载体，随着信息通信、互联网、大数据、云计算、人工智能等新技术在汽车领域广泛应用，汽车正由人工操控的机械产品加速向智能化系统控制的智能产品转变，存储作为基础芯片有望先行受益。
2017年车载存储领衔，车用IC出现史上最高增速。根据IC Insights 17年中报告，2017年汽车半导体有望增长22.4%至280亿美元，其中车载存储增速居于首位，有望同比增长51.1%至25.78亿美元。
智能驾驶时代，“车载电脑”、“车载服务器”大势所趋。建立“感应-融合-决策-执行”大闭环。智能驾驶，在监测到障碍物时，如果无法及时进行智能化决策，控制方向避开障碍物，而是先传入云端再下发指令到车载终端的话，因信号传输等原因稍有延迟就会导致事故的发生。因此需要本地具备高性能运算能力的辅助驾驶/自动驾驶控制系统来对传感器接收数据进行融合、处理，“车载电脑”、“车载服务器”将是大势所趋，形成“感应-融合-决策-执行”大闭环。
麦肯锡今年报告对车载存储整体产值进行预测，预计到2020年车载存储整体产值将达到28.32亿美元，其中DRAM和NAND占比分别为51%、36%。
根据发改委最新《智能汽车创新发展战略》（征求意见稿），到 2020年，中国标准智能汽车的技术创新、产业生态、路网设施、法规标准、产品监管和信息安全体系框架基本形成，智能汽车新车占比达到 50%，中高级别智能汽车实现市场化应用。我们对中国智能驾驶渗透与DRAM空间进行测算，以2020年中国乘用车销量2770万辆、智能汽车渗透率50%、单车DRAM容量38GB来测算，仅中国车载DRAM空间就有望达到5.27亿GB。
五、并购思立微切入AI人机交互，打造“MCU-存储-交互”一体化解决方案
5.1思立微：国内市场领先的智能人机交互解决方案供应商
兆易创新于2018年1月发布公告称拟用现金以及发行股份的方式以17亿收购上海思立微电子100%的股权。思立微为国内市场领先的智能人机交互解决方案供应商，产品以触控芯片和指纹芯片等新一代智能移动终端传感器SoC芯片为主。本次收购有助于兆易丰富芯片产品线，拓展客户和供应商渠道，在整体上形成完整系统解决方案。上海思立微将一定程度上补足兆易在传感器、信号处理、算法和人机交互方面的研发技术，提升相关技术领域的产品化能力。
思立微主要产品为电容触控芯片和指纹识别芯片。公司的电容触控芯片主要为电容屏触控芯片，产品应用于智能手机、平板电脑等智能终端触摸屏的控制。近年来，电子技术的发展，触摸屏技术在手机、平板电脑、导航仪等电子设备中的应用有了快速的发展。跟据赛迪顾问的数据，思立微2016/2017年触控芯片出货量份额分别为11.1%/9.5%。
根据赛迪顾问的统计数据，2008~2015年全球电容触控芯片从4461万颗增长至19.5亿颗，年度复合增长率高达72%，预计2018年的销售量将达到24.1亿颗。2015年我国电容触控芯片规模为8.3亿颗，预计2018年的销售量将达10.7亿颗。
思立微指纹识别芯片产品包括Coating指纹识别芯片和盖板指纹识别芯片。公司已成为华为等国产品牌手机厂商的供货商之一。自iPhone 5s搭载了Touch ID的功能，手机的指纹识别功能快速获得消费者的认可，现在指纹识别已经成为手机必不可少的功能。随着近两年智能手机移动支付业务的全面铺开，指纹识别芯片已经从单纯的解锁功能器件演变成为移动支付的重要安全元素。目前的指纹识别市场，大多来自于OEM厂对全玻璃设计与防水功能的需求。这促使CMOS/TFT、超声波侦测等新技术，让市场迎来新的发展机遇。根据中国产业发展研究统计，2016年全球指纹模组市场规模362亿元，出货量达到6.78亿颗，预计2020年市场规模达到600亿元，出货量15亿颗，出货量年复合增长率约22%。2016年中国指纹模组市场规模323亿元，出货量5.5亿颗，预计2020年将达到511亿元，出货量将超过12亿颗，出货量年复合增长率约21%。
思立微采用无晶圆厂（Fabless）的经营模式，专注于芯片的研发、设计和销售，没有自有生产车间，晶圆生产、芯片封装和测试均通过委外方式实现，因此需向晶圆代工厂采购晶圆，向封装厂、测试厂采购封装服务和测试服务。
2016年公司触控芯片产品占比为70.27%，指纹识别芯片产品占比约为29.16%。2017年1~10月指纹识别芯片产品占比迅速提升，提高到了81.58%。
据旭日大数据统计，2018年上半年国内市场指纹芯片单月出货量排名中，汇顶和FPC高居榜单前一二位，思立微自进入品牌手机供应链之后，出货量也迅速拉升，紧追位列第三。
5.2着力于14nm嵌入式AI信号处理器芯片
本次配套募集资金主要用于14nm工艺嵌入式异构AI推理信号处理器芯片研发项目、30MHz主动式超声波CMEMS工艺及换能传感器研发项目、智能化人机交互研发中心建设项目。
5.3思立微新品订单将至，Q3业绩上行
随着iPhoneX配置了3D传感技术，前置3D结构光是未来的一大趋势，但是目前来看安卓端的渗透速度并不快。同时国人似乎更习惯无刘海的全面屏，因此预计屏下指纹技术会在2H18开始迎来爆发，长远来看会不断渗透到中段甚至低端品牌。目前仅有vivo、小米的少数几款使用了屏下指纹技术，预计2019年华为、小米、OPPO和vivo都会有机型使用屏下指纹技术，在国产手机全面崛起的背景下，屏下指纹产业有望大幅增长。思立微与OPPO具有深度合作关系，未来必然会有更深的突破。
六、盈利预测与投资建议
盈利预测假设：
1）存储芯片2018-2020年增速为6.2%/12%/22%；
2）微控制器2018-2020年增速为42%/25%/30%；
3）考虑到2018年产品价格下降及工艺提升综合因素，以及2019年起产品结构改善、高毛利产品放量，给予2018-2020年毛利率37%/39%/39%；
4）2018-2020年管理费用率+营业费用率之和为16.06%/15.86%/15.50%，对应净利率20.2%/20.7%/21.4%。
兆易创新作为A股半导体板块存储芯片全平台企业，充分受益存储芯片广阔市场的国产化替代浪潮。我们预计兆易创新18/19/20年实现4.57/5.38/6.87亿元净利润（2019-2020年不考虑思立微备考业绩，不考虑DRAM项目贡献），兆易目前市值对应265亿，对应18/19/20年PE 58.0/49.2/38.6 x。
若考虑思立微收购增发及配套融资，成功完成后备考市值为296亿，我们保守预计思立微2018-2019年业绩为0.85/1.50亿元，若考虑思立微收购并表则2018-2019年PE对应54.3/43.0x。
考虑到公司行业景气度高企、国家半导体产业力度加强，公司作为半导体行业龙头企业，存储及MCU两大主业国内领先，份额远高于国内同行业对手，且均进入快速成长通道，新产品不断突破、切入DRAM广阔新领域带来新的成长空间，估值弹性大，坚定看好。不考虑思立微并表及合肥DRAM项目贡献目前估值在A股半导体中仍处于合理水平。首次覆盖给予“买入”评级。
七、风险提示
1）行业下游需求不达预期：NOR Flash作为存储芯片具有一定周期性，受下游细分领域消费电子、通信、汽车、工控等景气度综合影响，如果行业下游需求不达预期会对芯片价格及出货量造成影响；
2）新制程工艺进展不达预期：半导体行业核心竞争力之一是制程以及工艺，如果公司NOR及NAND新制程、新工艺进展不达预期会对成本以及营收体量造成影响；
3）并购思立微进展不达预期：根据公告，公司目前并购思立微已经过会但尚未拿到批文，仍存在进展不达预期的可能；
4）合肥DRAM项目进展不达预期：公司公告联合合肥产投进行DRAM产业化项目，存在进展不达预期的可能。