HBM制造集成前道工艺与先进封装,TSV、EMC、键合工艺是关键。HBM制造的关键在于TSV DRAM,以及每层TSV DRAM之间的连接方式。目前主流的HBM制造工艺是TSV+Micro bumping+TCB,例如三星的TC-NCF工艺,而SK海力士则采用改进的MR-MUF工艺,在键合应力、散热性能、堆叠层数方面更有优势。目前的TCB工艺可支撑最多16层的HBM生产,随着HBM堆叠层数增加,以及HBM对速率、散热等性能要求的提升,HBM4开始可能引入混合键合工艺,对应的,TSV、GMC/LMC的要求也将提高。
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