光刻機的名字主要由它採用的光源來區分，EUV 光刻機採用極紫外線 (Extreme Ultraviolet)；DUV 光刻機採用 ArF 光源。目前光刻機大致上可分為 5 大種類，分別是 EUV，DUV 又再分為 ArFi、 ArF dry 和 KrF，最後還有採用紫外線的 i-line。
(1) EUV
EUV 是極紫外線光刻機，是目前最先進的光刻機，應用於 2 – 7 納米 (nm) 的先進製程。暫時只有阿斯麥 (ASML) 能製造出 EUV 光刻機，其型號為 NXE，主要用來生產 CPU 及 GPU 等高端晶片。
DUV 光刻機可細分為乾式和浸潤式，主要區別在於浸入式 DUV 將物鏡和晶圓之間的填充由空氣改為了水，從而獲得更高的解析度和成像能力：
(2) ArFi
ArFi 是 ArF 光刻機的改進版，也稱為浸潤式 DUV 光刻機，製程是 45 – 7 納米(nm)
(3) ArF dry
ArF dry 是乾式 DUV 光刻機，製程是 65 – 45 納米 (nm)
(4) KrF
KrF 是低端的 DUV 光刻機，製程是 180 – 65 納米 (nm)
(5) i-line
UV (i-line) 是最低端的光刻機，主要用於35 微米 (0.35µm) 的工藝。
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