光刻机和刻蚀机是半导体制造过程中的两种关键设备，它们在芯片制造中扮演着不同的角色。
光刻机的工作原理是利用特定波长的光源，通过掩模版照射在涂有光刻胶的硅片上，使被照射到的光刻胶发生化学反应，从而在硅片上形成所需的电路图案。光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶，正性光刻胶在曝光后溶解，而负性光刻胶则相反。光刻胶的性质决定了曝光后哪些区域会被保留或去除。光刻技术是决定芯片制造中电路图案精度的关键步骤，其技术包括接触式光刻、近接式光刻和投影式光刻等。
刻蚀机则是用来将光刻机形成的图案转移到硅片的下层材料上。刻蚀过程是通过化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀使用等离子体等技术，具有各向异性好、选择比高等特点，而湿法刻蚀则是通过化学反应来去除材料。刻蚀技术的目标是在硅片上正确地复制掩模图形，是实现微纳加工的重要步骤。
总的来说，光刻机负责在硅片表面形成所需的电路图案，而刻蚀机则负责将这些图案转移到硅片的下层材料上，两者共同作用，才能制造出精细的半导体器件。