$佰维存储(SH688525)$ 三星电子表示，2025年后将进入3D DRAM时代。三星展示了两项3D DRAM技术，包括垂直通道电晶体和堆叠DRAM。相较传统电晶体结构，垂直通道电晶体将通道从水准变为垂直，大幅减少元件面积，但提升刻蚀精确度要求。据悉，随着3D DRAM市场发展，有望2028年达千亿美元规模。(科创板日报)
| 发布于: | 雪球 | 转发：0 | 回复：0 | 喜欢：0 |
$佰维存储(SH688525)$ 三星电子表示，2025年后将进入3D DRAM时代。三星展示了两项3D DRAM技术，包括垂直通道电晶体和堆叠DRAM。相较传统电晶体结构，垂直通道电晶体将通道从水准变为垂直，大幅减少元件面积，但提升刻蚀精确度要求。据悉，随着3D DRAM市场发展，有望2028年达千亿美元规模。(科创板日报)