核心约束：
计划中提出了算力能效的指标，并配套了新的标准。第二阶段是到2030年底，要求全国数据中心的利用率、算力能效和碳效达到国际先进水平。这个“先进水平”与领跑者标准相关，文件中提到将领跑者标准升级为国标。2030年的先进水平是一个强约束。
先进水平的时间节点是2030年底。如果新建项目达不到先进水平，后续电价可能会更高。关于什么是先进水平和节能水平，在服务器领跑者标准中有明确规定。
1、核心要求：第一类是使用14纳米及以上工艺的通用图形处理器，即目前国内使用的DUV工艺。其先进水平要求每瓦浮点运算次数（TFLOPS/W）大于等于0.5，节能水平为0.25。如果是使用EUV工艺制造的14纳米以下设备的通用图形处理器，其先进水平的能效比要达到1.0，节能水平为0.5。
2、怎么计算：H20为例，按照它的计算标准，理论浮点运算性能（TFlops）大概在160左右。它的标称功耗是400瓦，实际工作大概在500瓦左右。也就是说，H20的能效比大概在0.32。这是不满足节能水平最低0.5的要求的。
3、国产算力：目前了解到的国产芯片的能耗情况，基本上在300到400瓦之间。它们的计算性能大约在300多TFlops，所以能效比大概在0.8到1.2之间。这个区间基本上符合甚至远超先进水平的要求。
4、B20先进水平怎么样：如果它要达到节能水平，以B20的设计工艺以及目前B100和B200的规格来看，预估它的功耗需要压到400瓦，甚至350瓦，才有可能在运转过程中达到节能要求。主要原因是增加了两块HBM，同时H20也是按照算力密度TDP 5.92的标准设计的。在这个层面上，短期内TDP（算力密度标准）是由US商务部制定的规则，不会被突破。如果在这个时间段推B20，只能通过压缩功耗来实现，而压缩功耗需要非常大的努力。
B200的设计功耗在1000瓦到1200瓦之间，如果要降到350到400瓦，对于目前的工艺来说是很难支撑的。因为B系列和H系列的工艺都在同一个5纳米平台上，只不过选用了不同的工艺库，从8T工艺换到了6T工艺库，称为4纳米。本质上的优化并不多。因此，B20无法达到先进水平。
5、B20节能水平怎么样：要看它的HBM以及中间的调度系统是否做得非常复杂，才有可能达到节能水平。但是在节能水平下，可以明确看到其成本会飞速提升，至少与B100和B200的成本相当。包括HBM都需要用到HBM3，才可能把能耗降下来。
结论：为了达到节能水平，B20和H20的成本会上升较多，竞争力会大幅减弱。