还有一个想法，EUV-NA系统的成本和能耗等成本在3的节点上开始成本提升要超过性能提升了，说明光刻有可能不是通向更小制程的正确工艺路径，大厂说不准会犯了当年尼康面对阿斯麦犯下的错误。
国内光刻进一步暂时比较难，但是很有可能通过别的路子达到等效3.4晶体管密度，没有路径依赖，针对沉积，刻蚀工艺自主开发，说不定会意外开辟出新的工艺思路。
$台积电(TSM)$ $阿斯麦(ASML)$ $英伟达(NVDA)$