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电子隧穿效应解决不了，现在连到底把电子看成粒子还是波还是场都没有一个确定性的结论，都只是数学推导而无法试验观测，隧穿导致的发热根源是什么就无法解决。三星自作聪明搞出来的梯形栅极结果良率几乎为零就已经说明了这已经不是工艺问题了，而是基础物理学的问题了。
苹果3n过热最后搞出的软件解决方案也是降频，那3还有去进攻的意义吗？做不是做不出来，但做出来引发的电子隧穿效应就是按下葫芦浮起瓢。
还是5+先进封装+散热及通信调优才是在基础物理理论没进一步发展的合理选择。
未来的方向大概率不是台积电定义的3n栅极宽度，而是新型封装实现等效的晶体管密度，这有很多路径没尝试，还有很大探索空间，我们与世界的代差远比很多人看制程得出的结论要小。$中芯国际(00981)$ $中芯国际(SH688981)$ $台积电(TSM)$
非业内人士但努力学习，表达并不是代表我全知全对，表达的意义在于有验证和被否定的途径。请指出我的谬误之处我会非常感谢并虚心学习，但我常常遇到的是一言否定而不给出任何理由。
理是越辩越明，我可以在别人指正后给予去反思和在学习的方向，从而进一步确信或推翻自己的说法。我反对其他人的观点也都是给出充分的叙述依据，同样希望阁下能如此指正我，而非一句嘲讽让人摸不着头脑。