$普冉股份(SH688766)$ $兆易创新(SH603986)$ $东芯股份(SH688110)$
【华福电子】 涨价传导顺畅，Q2关注利基存储机遇（存储推荐第三弹）
☀周期维度：大宗调涨，利基接力
🔺高端存储涨势不减：根据闪德咨询，海力士LPDDR5/LPDDR4/DDR5等DRAM产品，近期全面涨价15-20%，累计上涨约60%-100%。
🔺通用存储趋势确立：4月PC DRAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)的平均价格环比+17%，至2.1美元，实现21年12月以来最大涨幅。
🔺利基存储蓄势待发：主营DDR3的南亚毛利率由23Q4的-14%增至24Q1的-3%，公司展望Q2 DRAM价格续涨，毛利率“转正”的概率很高，利基存储涨价传导顺利。
☀业绩维度：兆易&普冉Q1业绩强劲
🔺兆易24Q1营收同比+21%，环比+19%，毛利率为38.2%，环比+3.6pcts。
🔺普冉24Q1营收4.1亿，同比+99%，环比+13%；扣非归母净利润0.62亿，同比扭亏，环比+35%；毛利率31.8%，环比+4pcts。
🔺华邦/旺宏/南亚3月营收亦环比高增21%/22%/11%，利基存储蓄势迎复苏。
☀长期维度：全球份额提升，新品积极拓展
国际龙头在下行周期收缩利基型料号产能，而国产厂商不断抢占市场份额。普冉股份23年存储产品出货量同比+45%。兆易创新23年nor出货23.3亿颗，同比+13%，且全球排名从22年的第三上升至第二位。另一方面，除开主业有望迎来量价修复，各公司也积极布局成长业务：
🔺兆易：DRAM已具DDR3/4两条产品线多个料号；24年长鑫代工采购预计1.2亿美元，较23年大幅增长（采购3.6亿人民币）。
🔺普冉：SONOS工艺降低NOR、MCU成本，M0、M4内核MCU出货量快速增长（23年销量同比+193%）。
🔺东芯：1xnm SLC NAND Flash进入晶圆测试及工艺调整；NOR Flash容量可达1Gb。
风险提示：需求、技术迭代、竞争风险。
华福电子：徐巡/谢文嘉