海豚读次新（解读次新风云变化，挖掘成长潜力牛股）
写于2023.5.9晚间
五一节后行情主线混乱，除了AI、中特估甚至银行股都炒作了一把，但是别看热点那么多整体赚钱效应一般，深次新股指、科创板指节后四个交易日分别调整了3%、4.7%以上，近端次新方面4月下旬以来上市的15只新股已有9只破发，倒是中信金属因中字头竟然破天荒底部四连板，在其带动下中电港也成功封板，只有中船特气因为是科创在近端中字头次新里有些被遗忘，但是这种逻辑的赚钱机会确实很难把握，因为明天的热点会是啥谁也不能准确预测，本质有点像概率游戏，再玄乎点就是玄学了。
目前是最好的时机也是最难的时光，私下里已有不少人和海豚抱怨次新是否还有投资价值？说明情绪已经到了冰点，而另一方面不少优质的次新标的已经再度调整到合理估值以下，今日海豚更已看到不少超跌的次新已开始有反转迹象，前面暴跌的联动科技今日逆势领涨或是一个信号，所以永远不能失去耐心，尤其是次新里标的包罗万象，找好标的静待花开即可。当然要做到有耐心的前提就是对所投标的基本面的全面理解和认识，才会不面对股价的大幅波动而惊魂失色，有空也可以多看看海豚的历史剖析文压压惊，多比对多动态跟踪，而不是当墙头草一天一个热点的追。
虽然半导体近期不是主流且在业绩不断暴雷的情况下估值中枢不断下行，不过超跌就是最大的利好，在质优价美的吸引下，早晚会被资金认可。今日就来说一只上市后已经过调整的科创半导体股，在AI浪潮下先进封测成为市场关注焦点，面对算力缺口，Chiplet通过同构扩展提升晶体管数量或异构集成大算力芯片两大方案助力算力成倍且指数级提升，满足ChatGPT大数据+大模型+大算力需求。而先进封装技术是Chiplet实施的基础和前提。Chiplet概念股龙头芯原股份已悄然翻倍，先进封测小龙头甬矽电子股价同样翻倍，现如今继甬矽电子后又一科创先进封测龙头悄然上市，虽然相比甬矽电子产品线不那么丰富，但是甬矽电子仍有三成左右属于中端封装业务，而这只新股系出名门，深耕行业二十多年，合肥市属国企，聚焦高端封装领域，毛利率近40%，远高于甬矽20%左右的水平，利润水平稳定，相比之下行业老二2021年刚刚扭亏为盈，那么其质地究竟如何？且看海豚今日为你深度剖析！
此前关于甬矽电子剖析链接如下：
Chiplet概念持续爆火！科创先进封测第一股，成立5年即上市，收入已超20亿...
先进封装为后摩尔时代提升芯片性能利器！凸块制造则是先进封装演化的基础
集成电路封装按照是否有封装基板及材质分为陶瓷基板、引线框架基板、有机基板产品、无基板四大类，其中前三类可分为倒 装封装和引线键合封装两种方式，而无基板产品又可具体分为扇出型封装 （Fan-out）和扇入型晶圆级芯片尺寸封装（Fan-in WLCSP）两类
总体先进封装与传统封装技术的区别主要在于是否采用焊线，具体来说传统封装一般利用引线框架作为载体，采用引线键合互连的形式进行封装，而先进封装主要是采用倒装等键合互连的方式来实现电气连接。
封装技术演进分为五个阶段——
第一阶段（20世纪70年代前）：通孔插装时代
第二阶段（20世纪80年代后）：表面贴装型封装——四边引脚扁平封装（QFP）、双边扁平无引脚封装（DFN）、小外形表面封装（SOP）等
第三阶段（20世纪 90年代以后）：面积阵列封装——BGA（球栅阵列封装）、CSP（芯片级封装）、WLP（晶圆级封装）等
第四阶段（20 世纪末以后）：多芯组装（MCM）、三维立体封装（3D）、系统级封装（SiP）、凸块制造（Bumping）等
第五阶段（21 世纪以来）：倒装（FC）、微机电机械系统封装（MEMS）、硅通孔（TSV）、系统级单芯片封装（SoC）、表面活化室温连接（SAB）等
2019年我国封测企业在全球市占率已达64%（其中台湾占比43.9%、大陆占比20.1%），但是目前我国大多以第一、第二阶段的传统封装技术为主，产品定位中低端。而全球主流正处于以BGA（球栅阵列封装）、CSP（芯片级封装）为主的先进封装第三阶段，同时正在向第四、第五阶段发展。
先进封装可以在不依赖先进制程工艺前提下提高芯片整体性能以及集成度，已成为后摩尔时代提升芯片整体性能的重要途径，随着电子产品小型化、轻 薄化、智能化、多功能化的发展，未来集成电路封装也将向多芯 片封装、3D 封装、高密度、薄型化、高集成度方向发展。
2020年全球先进封装市场占比已达45%，预计到2026年将提升至50.2%，而我国2020年先进封装占比仅为15.5%，远低于全球平均水平，随着人工智能、云计算等发展，预计未来5年我国先进封装复合增速将达30%，到2025年占比将提升至32%。长电科技、通富微电和华天科技国内三大封测巨头在部分先进封装技术已与外资同步，但是先进封装产品占比距离外资巨头仍有差距。
凸块制造是倒装（FC）封装、 扇入型（Fan-in）封装等各类先进封装技术得以实现和进一步发展演化的基础，先进封装结构与工艺实现的关键技术均涉及凸块制造技术，包括热门的Chiplet先进封装技术也是凸块制造 、Fan-out、3D、SiP 等高端先进封装技术的集合。
凸块制造作为一种新型的芯片与基板间电气互联的方式，通过在晶圆上制作金属凸块实现，相比传统的打线技术向四周辐射的金属“线连接”，凸块制造则是“以点代线”，可大幅缩小芯片体积，具有密度大、低感应、低成 本、散热能力优良等优点。随着集成电路制程的发展，凸块间距也已发展到 100μm 以下的极细间距，单芯片上的金属凸块超过 1,500 个。
凸块制作的材质主要有金、铜、铜镍金、锡等，具体来看——
1.金凸块：主要应用于显示驱动芯片，少部分用于传感器、电子标签类产品；
2.铜镍金凸块：主要用于电源管理等大电流、需低阻抗的芯片封装；可以通过大幅增加芯片表面凸块的面积，在不改变芯片内部原有线路结构的基础之上，对原有芯片进行重新布线（RDL），大大提高了引线键合的灵活性；虽原材料成本较金凸块低，但工艺复杂，制造成本相对较高
3.铜柱凸块：新一代芯片互连技术，后段适用于倒装（FC）的封装形式， 应用十分广泛，主要用于通用处理器、图像处理器、存储器芯片、ASIC、FPGA、电源管理芯片、射频前端芯片、基带芯片、功率放大器、汽车电子等，通过缩短连接电路的长度，以减小芯片封装面积和体积，从而克服芯片系统的寄生电容干扰、电阻发热和信号延迟等缺点，具有良好的电性能、热性能、窄节距等优点
4.锡凸块：凸块结构主要由铜焊盘和锡帽构成，一般是铜柱凸块尺寸的 3~5 倍， 球体较大，可焊性更强，具有密度大、间距小、低感应、 散热能力佳的特点，适用于细微间距的芯片产品，主要应用于图像传感器、电源管理芯片、高速器件、光电器件等
....
更多内容欢迎点击如下链接：