保障国家核心战略物资！华为既是第四大股东，也是公司第一大客户，收入占比已达49%
海豚读次新（解读次新风云变化，挖掘成长潜力牛股）
碳化硅可以广泛应用于5G 通讯、智能电网、电动汽车、轨道交通、新能 源并网、开关电源，虽然目前渗透率还很低，全球只有3.6亿美元的市场规模，其未来潜力巨大，几年内百亿规模可期，更关键碳化硅还是我国军用领域的核心器件，国产化及自主可控具有重大战略意义，并有望实现弯道超车。而碳化硅产业链中上游的碳化硅衬底更是核心中的核心，之前碳化硅概念股不少，但是多以器件为主，现如今碳化硅衬底第一股——天岳先进已悄然登录科创，华为旗下的哈勃投资为公司第四大股东，上市前持股比例超7%，为目前科创里继东芯股份、灿勤科技后第三只华为位列前十大股东的科创新股（目前华为已退出思瑞浦前十大股东之列），也是目前华为持股比例最高的公司，与此同时华为也在2019年之后快速成为公司大客户，2020、2021年上半年收入占比分别超33%、49%，那么天岳硅成质地究竟如何？且看海豚今日为你深度剖析！
此前关于东芯股份的剖析链接如下：
科创第三只华为入股公司！稀缺存储芯片标的，还在积极布局车规级芯片...
此前关于灿勤科技的剖析链接如下：
又一华为入股的科创股！全球首家5G介质波导滤波器量产厂商，其产品还用于“天问一号”
宽禁带半导体的进口被发达国家实行禁运，目前正处于产业化应用前夜，战略意义重大
半导体材料通常被划分为三代——
1. 第一代半导体材料：以硅和锗等元素半导体为代表，主要用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器，其中硅基半导体为目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的
2. 第二代半导体材料：以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的 6 倍,具有直接带隙，因此砷化镓器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料
3. 第三代半导体材料：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等，适合大功率、高温、高频、抗辐照的应用场合。
其中碳化硅是硬度第二、导电性第二的材料，具有如下优势，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，可靠性和稳定性远高于氮化镓、硅基，可覆盖高达 3.3kV 高电压及 10MW 大功率应用，已应用于射频器件及功率器件
A. 耐高压：击穿电场强度是硅的 10 倍，这意味着同样电压等级的 SiC MOSFET 外延层厚度只需要 Si 的十分之一，可提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗
B. 耐高温：禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高，碳化硅的禁带接近硅的 3 倍，其极限工作温度可达600℃以上，而硅器件的极限工作温度一般不超 300℃。
C. 散热性好：碳化硅的热导率比硅更高，更有助于器件的散热，因此碳化硅器件对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。
D. 高频：饱和电子漂移速率是硅的 2 倍，可以实现更高的工作频率和更高的功率密度，有助于器件小型化
氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐 蚀、耐辐照等优势，已应用于光电子器件、微波射频器件、功率器件，总体应用场景比SiC的电压偏低，目前主要应用于手机快充场景，小米、OPPO等率先使用。
由于宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测 器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，受到国际上《瓦森纳协定》 的出口管制，国外对中国实行技术禁运和封锁，宽禁带半导体自主可控可谓迫在眉睫，目前我国宽禁带半导体已被列入 2030 年国家新材料重大项目七大方向之一， 正处于研发及产业化发展的关键阶段。
碳化硅衬底位居为前沿核心关键材料，在器件成本占比达47%，技术壁垒极高
全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体，我国在宽禁带半导体领域和国际巨头差距较小，宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，而相比较之下碳化硅衬底可用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料，具有重大的战略意义。数据显示碳化硅器件制造成本中衬底成本占比近 47%，外延成本占比23%
相对于硅片全球上百亿美元的市场规模，碳化硅衬底因目前主流商用的 PVT 法晶体生长速率慢、缺陷控制难度大，制备技术难度较大，成本仍然较高，目前市场规模仅3.6亿美元。据行业统计碳化硅衬底从样品到稳定批量供货大约需要 5 年时间，一片 6 寸的碳化硅晶圆价格在 1000 美元以上，是同尺寸硅晶圆价格的 20 倍以上，不过碳化硅器件价格已开始下降，与硅器件价差已收窄到 2.5~3 倍。
碳化硅衬底又进一步分为
半绝缘型碳化硅衬底（高电阻率电阻率≥105Ω·cm）：通过在半绝缘衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）外延片，而后可进一步制成 HEMT 等微波射频器件，应用于5G通信、雷达、军用、航空航天等领域。
导电型碳化硅衬底（低电阻率15-3030mΩ·cm）：主要应用于制造功率器件（又称电力电子器件），主要应用于电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、 智能电网等领域。
碳化硅衬底尺寸有2 英寸（50mm）、3 英寸（75mm）、 4 英寸（100mm）、6 英寸（150mm）、8 英寸（200mm）等规格。为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术，通常衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。目前布局碳化硅衬底的企业有三安光电、天科合达、山东天岳、同光晶体、露笑科技、 东尼电子等，2022 年将成为国产 6 英寸碳化硅衬底片量产元年
公司打破外资禁运垄断实现半绝缘碳化硅衬底国产化，快速成长为细分领域全球第三，全球市占率已达30%
天岳先进成立于2010年，公司产品有半绝缘型和导电型碳化硅衬底，可用于微波电子、电力电子等领域，技术水平已达到国际先进水平，为我国宽禁带半导体领域首家入选制造业单项冠军企业，先后承担了国家“核高基”重大专项（01 专项）、国家新一代宽带无线移动通信网重大专项（03 专项）、国家新材料专项、国家高技术研究发展计划（863 计划）项目，随着公司批量供货公司碳化硅衬底产量已从2018年的1.14万片增至2020年的4.75万片。
目前公司主要产品是 4 英寸半绝缘型碳化硅衬底，在主营收入占比超99%，2018-2020年在营业收入占比分别为54%、66%、80.8%，其主要用于5G、无线电探测等领域，6 英寸半绝缘型和 6英寸导电型衬底已形成小批量销售，不过距离行业龙头Wolfspeed公司（前身科锐公司,股票代码GREE)8英寸产品仍有差距。
.....
....
以上仅为部分内容，欲获取完整剖析及海豚独家点评点击如下链接查看
全球第三大碳化硅衬底厂商，市占率已达30%，已达国际先进水平，华为目前持股比例最高的A股公司...
注：完整版不仅有更详细的行业分析、业务剖析、概念题材分析，还会在海豚结语部分给出尽量客观中肯的点评（包括风险点），给出合理估值区间及目标价...一年内都具有阅读价值，可以反复挖掘其中题材亮点