【ASML光刻机原理】
1）光刻，是指将掩膜板上的图形曝光至预涂了光刻胶的晶圆表面上。光刻胶（正胶）受到照射的部分，将发生化学变化，从而易溶于显影液。光刻行业的关键定理——瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)。CD为关键尺寸，为了降低CD，有三种方式，一是降低波长λ；二是提高镜头的数值孔径NA；三是降低综合因素k1。
2）ASML典型的沉浸式步进扫描光刻机工作原理：首先是激光器发光，经过矫正、能量控制器、光束成型装置等之后进入光掩膜台，上面放的就设计公司做好的光掩膜，之后经过物镜投射到曝光台。光刻机是芯片制造的支柱设备，一般分为准直透镜系统（EUV除外）、掩膜板对准系统、曝光系统等。光刻机设备的核心零部件包括光源、镜头以及精密结构等。
