【MOSFET与IGBT对比】
1）IGBT和MOSFET内部结构不同，IGBT输入【电压高】，MOSFET输入【电压低】，这也决定了其应用领域的不同，MOS管适合较小输出功率的场景，IGBT适合较大输出功率的场景。【MOSFET】应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域；【IGBT】集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热、电驱等高压领域。
2）MOSFET根据工作载流子的不同，可分为“N型”与“P型”，又称为NMOS、PMOS。IGBT同样分成N型和P型。MOS管工作原理是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。根据不同器件结构又可分为沟槽型MOSFET、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET等。
