HBM一直是AI硬件端价值量最大的分支,奈何A股没标的
具体而言,6月份内存出口同比增长29%,环比增长85%至88亿美元,推动2Q内存出口达215亿美元(环比增长14%,同比增长94%)。
3季度环比继续增长
DRAM和NAND涨价10%
对于3季度,野村进一步预计韩国内存收入将同比增长31%,环比继续增长,主要由HBM产能扩张和商品价格上涨推动。
重点是,野村预计韩国半导体公司的盈利能力将在2024年下半年显著提高。同时由于HBM产能扩张和强劲需求,DRAM和NAND的商品价格上涨10%。
昨日的AI脱水中,硬AI指出了SK Hynix宣布了将投资103万亿韩元(约合747亿美元),计划在2028年之前进一步加强其面向人工智能存储芯片业务。
其中约80%(即82万亿韩元)的投资将用于发展高带宽內存(HBM)芯片,以推动与AI芯片发展的配合。
野村在报告中给出了韩国半导体企业不同产品,不同工艺下的资本开支情况。具体来看:
不同技术节点(Tech node)下,DRAM、NAND和晶圆代工每新增1万片产能所需的资本支出金额:
晶圆代工(Foundry):7nm需20万亿韩元,5nm需32万亿韩元,3nm需27万亿韩元
3D NAND:128L需10万亿韩元,176L需14万亿韩元
DRAM:1ynm需9万亿韩元,1znm需10万亿韩元,1anm需12万亿韩元
注:3D NAND的单位是“层”(L),DRAM的单位是“纳米”(nm),y z A分别代表第二、三、四代10nm工艺节点。
此前的业绩会上,公司还强调将在今年推出基于10纳米工艺的32Gb DDR5产品,这是第五代10纳米(1bnm)技术,以加强其在高容量服务器DRAM市场的领导地位。