【行业调研|存储芯片交流纪要】Q：当前存储芯片市场的热点话题有哪些？未来3-4个月内存储芯片需求前景如何？A：近期存储芯片市场非常火爆，伴随着价格的上涨和需求的突破。许多机构投资者希望了解行业最新动态。通过分析各大原厂未来3-4个月的产能数据发现，server、智能手机和平板电脑领域将出现明显复苏，分别增长约8%、60%和15%。尽管如此，PCnotebook和消费型领域的增长并不明显，总体上看，存储市场中的60%以上领域将实现约8%的增长。这种变化预示着存储价格有望在未来一个季度内再涨20%以上，重回2019年峰值水平。Q：库存水平与价格走势之间有何关联？A：库存量的变化是影响存储芯片市场的一个重要因素。过去一年中，库存量从2022年底高达8个月降至接近供需平衡时的3个月左右，导致了价格从那时开始上涨。由于几大主要厂商如三星、海力士、美光等实施了减产措施，库存逐渐减少至正常水平之下，进而推动了市场价格上升。Q：目前存储芯片的加工率（降价率）状况如何？A：目前存储芯片的加工率（降价率）大约在73%-75%左右，相较于历史上的供需平衡状态下约85%的加工率而言较低。虽然几大原厂计划在今年三季度末前不再显著提高加工率以防止库存积累引发价格下跌，但预计届时随着市场需求增长，加工率有可能会上升至85%-90%。Q：国内外存储芯片厂商的产能对比及差距体现在哪里？A：国外主要存储芯片厂商三星、海力士、美光等的实际产能分别为每月66万片、42万片和40万片，而国内长期存储和长 j 的产能则较低，分别约为每月10万片和12万片。由于国内需求能够基本满足现有产能，加上产能有限，因此加工率较高，反映了市场饱和度相对较低的情况。Q：当前市场中DRAM（动态随机存取存储器）的制程技术水平如何？A：在DRAM领域，现今市场的先进产能主要集中在12纳米的D1贝塔级别，而主流则在于14纳米的D1阿尔法和15.8纳米的DL贝塔。在国内厂商长 j 存储方面，其能力大约在17.2到15.8纳米之间，相比国际市场差距约两代左右。Q：Flash存储器技术目前的发展状况如何？A：市场上的主流Flash技术为3DFlash堆叠，其中V7最为常见且最先进的是V8。国内长 j 存储已掌握基于XGAAON技术的3D底板技术，能够制作接近于业界顶级的232层产品，尽管实际应用上因成本和技术限制，在较大订单上可能难以实现盈利，但在战略层面展示了其技术实力。Q：HighBandwidthMemory(HBM)存储器的主要用途及其在全球市场的供应商分布是怎样的？A：HBM主要用于AI领域，并与AI紧密相关。目前全球仅三星、海力士和美光能供货，其中海力士占比超过50%，三星约40%，美光不到10%。这是因为海力士早在2013年开始开发并持续更新迭代至第五代产品，且与其GPU厂家及台积电的合作更为紧密，性能优势明显。Q：现有DDR生产线能否直接转换为HBM生产线？A：从广义上讲，DDR产线可以转变为HBM产线，但由于HBM晶圆制造工艺的具体差异，尤其是每道工艺的步骤数不同，因此单纯将DDR生产设备直接切换至HBM生产线上面临挑战，需要重新设计和调整整个产线布局。目前尚未有厂商采取大规模移转或改造现有DDR产线的做法，而是倾向于新建或扩建专门用于HBM生产的芯片厂。不过，随着市场需求的增长和技术进步，未来HBM产线扩增的趋势仍然存在。Q：到2024年年底，海力士、三星和美光的扩产计划分别是多少？A：海力士计划将产能扩大两倍至三倍，三星扩展2.5倍至3.5倍，美光则扩产60%，初期计划是60%，后期可能追加至1.6倍。Q：到2024年年末，HM是否会缺货，是否会过剩？A：预计到2024年HM不会出现短缺现象，但由于市面上众多新兴玩家如百度、寒武纪、华为等公司开发AI技术，以及原有的GPU厂商加入竞争，即使存在少量过剩，也能通过调节供给来维持市场价格稳定。Q：HM技术有何独特之处？A：HM采用了高端的TSV（硅通孔）技术和MichaelBombing灰凸点技术，它们分别代表了存储领域的先进晶圆制造工艺和封装测试工艺。Q：国内企业在HM产业链中的角色是什么？A：国内已有雅克科技、赛腾电子等公司在HM相关设备制造方面有所突破，并可能成为部分国外厂商如TSV和电镀环节的供应商，同时也有一些正在研发阶段的企业有望在未来几年参与到HM产品的封装测试等环节。Q：对国内芯片及存储行业的未来发展如何看待？A：预计随着原厂控制产能及市场需求持续上升，尤其是最近几个月需求增强，存储市场价格将在今年Q4之前继续上涨，总体趋势为往上涨势波动中走高。同时，当前许多模组厂、代理商及终端客户开始囤货，可能导致价格短期震荡，但总体而言，行业前景看好，将回归全行业高位水平。Q：关于密集性产品，特别是立机型产品的复苏时间和驱动因素是什么？A：立机型产品（如某些DRAM）目前的产量并未显示出明显的复苏迹象，主要是由于市场缺乏有效的催化剂或“刺激”因素。预计立机型产品的复苏将滞后于其他主要产品（例如DDR4、DDR5），尤其是当DDR5这类产品开始大规模出货并推动市场需求上升时，利息型才会开始出现上涨。Q：DDR5在当前时态下为何被认为是重要风向标？A：DDR5作为一款不新颖但代表新时代的技术，其性能要求已被所有CPU、GPU和SOC等新设备所接受。尽管DDR5当前渗透率只有约60%，但随着主流芯片制造商将其生产的比例调整至70%左右，并预估未来能达到70%至80%的渗透率，DDR5的发展情况将成为影响整体市场动态的关键因素。Q：海力士及美光的HBM产能是否包含在DRAM总产能之内？A：提及的40万片数字指的是普通型DRAM产能，并未包含HBM的部分。各大厂商在计算总产能时通常会将HBM单独计算，因HBM的制造工艺不同于普通DRAM，所需设备台数大约是DRAM的1.5到2倍，但实际上尚未有大规模地将通用型DRAM产能转换为HBM的标准工艺流程。Q：为什么市场对价格上涨的预期如此强烈，即使供应充足且利用率仅为75%？A：虽然当前各大原厂可以将价格利用率提升至80%至85%的正常水平，但由于需求持续增长，加上一些人为囤货现象的存在，市场价格仍然呈现上涨趋势。此外，根据对三星、海力士、美光以及Kioxia几家原厂未来3到4个月产能预测显示，这五大领域的订单量已有明显好转迹象，尤其是占据市场60%以上的三大领域表现良好，这也是导致市场对价格上涨预期强烈的根源之一。Q：HBM封装与Crossbar封装的主要区别是什么？A：HBM封装是由原厂（如三星、海力士、美光）完成，采用先进封装技术如TSV技术和Microbumping，将多层晶圆通过特定方法堆叠后用环氧树脂封装而成。相比之下，Crossbar封装由台积电或其他外包公司采用2.5D技术实现，即将HM和GPU平面放置在同一层结构（如IntheBoard硅中间层）上，利用Interposer硅片来加速两者间的信号传输。两者的核心区别在于封装技术和堆叠方式的不同，目前业界正朝着融合这两种封装技术的方向发展，但由于散热和高度对接精度等问题限制，短期内难以完全转变为3D封装。Q：HBM4是否可以直接用于AMD等其他公司的产品？A：目前的HBM4仍是一个标准件，遵循JEDEC标准规定尺寸、性能等方面。这意味着目前购买的HBM4芯片可以应用于像AMD这类公司生产的各种产品，但由于AI产品功能多样性和对性能需求的不同，未来可能会发展出针对特定应用场景的定制化HBM。Q：对于三星等公司增加产能的具体预期情况如何？A：目前三星和国内的几家关键原材料及设备供应商，如雅克科技、赛腾半导体等，已经有各自扩产计划。其中，雅克科技预计在未来几年将逐步增加其在三星产能中的占比，而赛腾半导体则需等待三星完成2.5倍的产能扩增后才能获得相应供应。至于长期存储等公司，尽管有一些合作关系，但目前在国内的供应商体系中并未完全占据主导地位。Q：通富微电和长x 在HBM研发进展上有哪些信息？A：通富微电和长 x 的合作关系基于长期合作关系，并且通富主要负责封装测试环节。长 x 在HBM研发方面计划年底前完成前端晶圆制造技术的研发，并计划在明年中旬具备HBM封测的能力。然而，HBM整体进展还需等到明年年底之后开始商业化生产。