$中微公司(SH688012)$ 【国盛电子】半导体设备观:TechInsights发布3D NAND 最新产品比较并更新技术路线图，NAND技术竞争持续升温，长江存储产品力领先，持续推荐【半导体设备】产业链

#TechInsights对比TOP闪存厂商产品:近期，TechInsights对外发布三星、海力士、美光、长江存储 2XXL 3D NAND产品的垂直单元效率(VCE)比较，VCE对于NAND单元的工艺、设计、集成和器件操作非常重要，是最核心的技术指标之一。根据分析,=星236L 2代 COP VNAND VCE达到 94.8%;长江存储 Xtacking 3 VCE高达91.7%【排名第三】，高于美光232L的91.0%和铠侠162L的88%(2XXL尚末量产)。

# TechInsights更新3DNAND技术路线图:2402，闪存主要参与方在3D NAND技术方面取得重大进展技术竞争持续升温>三星(产能70万+)发布286L的 V9产品，即将推出的 V10 代际将采用混合键合技术;>铠侠和西部数据(产能70万+)最近发展到162LBiCS6，计划跳过 BiCS 7，转向218L的8代产品;>海力士(产能30万+)目前主要量产176L、232L，预计25年推出321LV9产品;>美光(产能20万+)在128L 产品中转向 CTF CuA 集成，目前最新推出176L和232L版本，他在正在开发300L的第七代产品，可能跃升至 4xxL;

>长江存储(产能<15万):使用Xtacking技术跳过176L，发布并量产232L产品，并计划推出【超过300L】的Gen5，同时公司正在开发multi-Xtacking 技术。

目前来看，3D NAND代际竞争日趋白热化，技术军备竞赛愈演愈烈，高阶NAND架构+混合键合工艺+钼等材料陆续规模化引入，大陆企业长江存储在【产品实力与先进工艺】中具备全球竞争力，但产能显著低于海外厂商，显著影响公司盈利能力，也无法满足国产存储客户需求。

我们认为未来公司的扩产确定性强、幅度大，产能释放的增速有望超越海外友商，在此我们重点推荐在闪存扩产中【价值量占比高、业务敞口大】的设备企业。