【光大电子】利基型存储市场拐点已现，重点关注兆易创新等存储设计公司　
　
??利基型DRAM价格率先反弹。受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及对HBM、DDR5产能切换，利基型DRAM价格在23年Q3触底后开始持续反弹，领涨利基型存储市场。DDR3的2Gb与4Gb现货价格均在23年7月-8月之间触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了17.3%与11.6%，年初以来分别上涨了7.1%与3.8%。DDR4的4Gb与8Gb均在2023年9月触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了21.4%与22.7%，年初以来价格分别上涨了6.6%与6.3%。　
　
??SLC NAND与NOR Flash价格触底，AI服务器、PC与手机拉动行业需求。以SLC NAND 2Gb容量为例，其产品价格在23年9月触底企稳，截止2024年4月12日，其价格相比最低点增长3.9%。NOR Flash方面，中大容量产品价格已经处于底部，在AIGC推动下，NOR flash在AI服务器中的应用大幅上升，GPU数量的增加将额外拉动40-50颗NOR Flash用量，AI PC与AI手机也需要更多的NOR Flash资源，带动市场需求提升。　
　
??台系利基型存储厂商业绩回暖。华邦电连续四个月营收同比增长，其中一季度营收同比增长15%；旺宏3月份营收大幅增长22%；南亚科2024年1-3月营收同比增长分别为35.9%、50.5%、58.0%，呈现加速趋势。　
$兆易创新(SH603986)$ $北京君正(SZ300223)$ $东芯股份(SH688110)$