现行的4G网络无法满足未来大文件的传输。随着视频清晰度越来越高和宽带成本的降低，未来5G是必然要施行的。
无线局域网（WLAN）已成为移动通信的重要补充，主要在热点地区提供数据分流。下一代WLAN标准（802.11ax）制定工作已经于2014年初启动，预计将于2019年完成。现在小米路由已经有5G的信号了。
看下5G的时间计划
5G的核心问题
硬件：
需要大规模天线阵列（提升多用户系统的频谱效率，满足5G系统容量与速率需求），超密集组网（实现频率复用效率巨大提升）
软件：
新型多址技术，通过发送信号在空/时/频/码域的叠加传输来提升多种场景下系统频谱效率，实现免调度传输，将显著降低信令开销，缩短接入时延，节省终端功耗。
全频谱接入，有效利用各类移动通信频谱（包含高低频段、授权与非授权频谱、对称与非对称频谱、连续与非连续频谱等）资源来提升数据传输速率和系统容量。6GHz以下频段因其较好的信道传播特性可作为5G的优选频段，6~100GHz高频段具有更加丰富的空闲频谱资源，可作为5G的辅助频段。信道测量与建模、低频和高频统一设计、高频接入回传一体化以及高频器件是全频谱接入技术面临的主要挑战。
相关标的：
从硬件看，5G提出要全频段覆，所以景对射频器件的性能（功率、 工作频率、可靠性等）有极高的要求。 以PA 功率附加效率（PAE）为例， 最低要求 60%。 skyworks的 GaAs PA芯片可以做到 78%，而最好的硅基 CMOS 产品仅能做到 57%。所以，前用作 5G移动端 PA 唯一可行的只有 GaAs 基芯片。
另外大规模天线阵列和超密集组网，要求耐高温、高频性能好、低导通损耗和高电流密度。所以GaN最有希望的下一代通信基站 PA芯片材料。。英飞凌已经开发出了用于 5G无线通信基站的 GaN 功率晶体管，功率达 170W，效率达 70%。
GaAs 元器件行业主要分为基片、设计、晶圆和封测等环节。能够独立完成 设计、制造、封测全流程的厂商被称为垂直整合制造（IDM）厂商。国内目前没有IDM厂商，那么看下整个产业链。
其中晶圆制造和封装测试是最大受益方。比如三安光电，定增16亿元投入集成电路的通讯集成电路（一期）项目，启动通讯用化合物半导体砷 化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）外延片和芯片生产业务。通讯集成电路（一期），完全建成后将形成 GaAs 外延片/芯片 30 万片/年，GaN 外延片/芯片 6 万片/年的生产能力。目前三安集成电路 GaAs 生 产线已开始试产，初步产能 5000/月，预计 2016 年将完成客户认证并提升产能 至 1.5万片/月
大唐电信，在中国国际信息通信展览会展示5G综合验证平台、128通道的5G MassiveMIMO样机及5G车联网通信设备等内容，还打造了以2022年冬奥会为虚拟背景的5G样片。
中兴通讯，这个没什么好说的，唯一的问题就是盘子太大……