碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时 误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法， 也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今。
自碳化硅被发现后数十年，发展进程一直较为缓慢。直到科锐（现更名为Wolfspeed）成立并 开始碳化硅的商业化，碳化硅行业在此后25年开始进入快速发展阶段。
常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC） 、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半 导体材料被业内通俗地划分为三代。
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第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、 电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高 的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。
碳化硅衬底主要有2大类型：半绝缘型和导电型。在半绝缘型碳化硅市场，目前主流的衬底产品 规格为4 英寸。在导电型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为 6 英寸。
