万华化学获得发明专利授权:“一种半导体单晶硅片的除杂工艺及制造工艺”

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证券之星消息,根据企查查数据显示万华化学(600309)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体单晶硅片的除杂工艺及制造工艺”,专利申请号为CN202110947117.0,授权日为2024年4月9日。

专利摘要:本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺,所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层,所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤。本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片,可以有效地降低硅片金属污染水平,并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。

今年以来万华化学新获得专利授权249个,较去年同期减少了47.47%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了40.81亿元,同比增19.32%。

数据来源:企查查

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