$美光科技(MU)$作为全球三大存储原厂之一，美光在多个领域具备全球领先实力，有望充分受益于AI革命与存储周期反弹双重利好因素，迎来快速上升周期。 存储周期反转进行，AI拉动估值中枢。复盘历史，美光公司股价受需求革命与存储周期双轮驱动。从需求来看，Gen AI对储存容量及存储性能均有长期持续性需求，或可类比PC革命时代，大幅扩宽市场与估值空间；周期来看，当前正处在原厂库存天数反转、资本收缩初步见效阶段，部分产品持续供不应求，价格上涨有望持续至2H2025-1H2026，推动美光营收及股价持续上升。

HBM异军突起实现赶超，三大原厂共享百亿美元市场，或可复现DRAM竞争格局。我们预计2024年全球HBM市场将超百亿美元规模，5年CAGR超20%，市场潜力巨大。当前三大原厂持续发力HBM：海力士领跑HBM3市场；三星在传统型号上具有优势；美光起步较晚，但凭其技术储备及跨越式布局，先于三星推出HBM3E，已于2024 Q2开始批量发货。目前美光HBM市场份额主要受TSV产能制约，随着其日本TSV产线逐渐投产，有望在2025-2026年得到改善。

DRAM业务供需优化，NAND业务期待反转，美光领跑多项领先技术。AI服务器大幅提升DRAM需求，同时HBM或将挤出传统DRAM约15%产能，结合原厂削减资本开支承诺，DRAM供需格局将长期向好。NAND需求稳步提升，考虑到竞争格局稍差，或将保持稳中回升态势。美光长期在DRAM及NAND多项领域推出行业领先技术，其采用EUV光刻机的1-γ节点的DRAM芯片及232层TLCNAND芯片均代表存储行业最高技术水平，核心竞争力显著。同时公司坐落于北美，充分享受地缘政治福利，发展环境较好。