【消息称三星电子最快本月晚些时候量产第9代V-NAND闪存】《科创板日报》12日讯,据KED Global报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。据悉,第9代V-NAND闪存的堆叠层数将是290层。另外,业内消息人士表示,随着对高性能和大型存储设备的需求增长,三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。