TCO 薄膜主要是用作减反射层和横向运输载流子至电极的导电层。目前常用的制备方法是 PVD 和 RPD：传统 PVD 技术运用 SPUTTER 磁控溅射，使用 ITO(氧化铟锡)靶材;RPD 技术利用特定的磁场控制 Ar 等离子体的形状，从而产生稳定、均匀、高密度的等离子体，使用 IWO(氧化铟掺钨)靶材。

 


 

短期内 TCO 薄膜沉积的主流技术是 PVD，设备产能高、镀膜工艺可控。PVD 方法基本原理是在电场和磁场作用下，使工艺气体 Ar 电离成 Ar+，形成等离子体，被加速的高能粒子(Ar+)获得高能量并轰击靶材，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，溅射粒子沉积到衬底表面与氧原子发生反应而生成氧化物薄膜。PVD 溅射镀膜膜厚均匀易控制，镀膜工艺稳定可控，工艺重复性较好，靶材寿命较长，适合连续生产。但离子轰击对薄膜的性能损伤较大，转换效率相对较低。现阶段采用 PVD 方式成膜的企业较多，PVD 设备更为稳定且价格更为便宜，产能可以做到6000pcs以上，德国冯阿登纳公司已经推出产能 8000pcs设备。

RPD 设备和靶材受专利限制，但转换效率具备优势。RPD 镀膜原理是 Ar 通过等离子枪产生的等离子体进入到工艺腔体内，然后在磁场作用下打到靶材上，靶材升华沉积至衬底上。RPD 工艺主要是采用日本住友的 RPD 设备匹配其生产的 IWO 靶材，相对于传统 PVD工艺，RPD 工艺在转换效率上具有 0.3%-1%的优势，日本松下公司的 1GW 电池均采用RPD 工艺。RPD 具有低离子损伤、低沉积温度、可大面积沉积和高生长速率等优势，但目前 RPD 设备产能较低导致售价高，且核心部件和靶材受制于住友专利限制。国内靶材公司已经开发出日本住友使用于 HIT 的高效靶材，靶材成本或将大幅下降。