【德邦电子】存储价格周度跟踪-1009：现货价持续拉升，三星指引明年供给短缺 DRAM：现货价持续普涨，行业拐点明确根据DRAMexchange，近日（0925-1009）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅为-1.2%~+7.5%，平均涨跌幅为+1.8%，前值为+1.6%。其中eTT料号涨幅普遍较大。同时，GDDR料号价格延续此前上涨行情，涨跌幅由+0.6%。DRAM颗粒现货价持续普涨，合约价后续亦有望跟进上涨，行业拐点明确。 NAND：NAND颗粒涨幅扩大，Wafer价格持续上涨近日（0925-1009）NAND颗粒现货价格环比涨跌幅区间为-0.8%~+3.3%，31个品类平均涨跌幅为+0.7%，前值为+0.6%。其中20个型号价格上涨，10个型号价格持平，1个型号价格下跌。NAND颗粒上涨料号明显增多，整体涨跌幅亦持续扩大，其中中小容量SLC涨幅普遍较大。而NAND Wafer价格整体涨跌幅为+5.3%，依旧保持高速上涨态势。 美光FY23Q4业绩改善明显，三星预计中国市场明年供给短缺美光近日发布季报显示，其FY23Q4（2023年6-8月）净亏损11.77亿美元（上季度-15.65亿美元），亏损幅度环比改善，营业利润率也由上季度的-39%收敛为-30%。同时三星预计，随着智能手机的需求复苏，一些市场（特别是中国市场）将在明年出现DRAM和NAND芯片的供应短缺。我们认为随着存储龙头的减产落地与下游需求复苏，行业正逐渐从供过于求转变为供不应求，供需关系改善将加快存储价格修复。