杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“公司”或“本公 司”）拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子 公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资 41.50 亿元并签署《8 英寸 SiC 功率器件 芯片制造生产线项目之投资合作协议》（以下简称“《投资合作协议》”）。

各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有 限公司”，以项目公司负责作为项目主体建设一条以 SiC-MOSEFET 为主要产品 的 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线，产能规模 6 万片/月。第一期项目总投资 70 亿元，其中资本金 42.1 亿元，占约 60%；银行贷款 27.9 亿元，占约 40%。第 二期投资 50 亿元，在第一期的基础上实施（第二期项目资本结构暂定其中 30 亿 元为资本金投资，其余为银行贷款。二期项目资本金中，本协议甲乙双方暂定按 “1:1 原则”追加投资，即按照乙方届时追加投资的金额，甲方合计追加相同的 金额，具体以各方届时议定的为准），第二期建成后新增 8 英寸 SiC 芯片 2.5 万片 /月的生产能力，与第一期的 3.5 万片/月的产能合计形成 6 万片/月的产能。

如本次投资事项顺利实施，将为士兰集宏“8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生 产线项目”的建设和运营提供资金保障，有利于加快实现公司 SiC 功率器件的产 业化，完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强核心竞争力，有 利于抓住当前新能源汽车产业的发展契机，推动公司主营业务持续成长。$士兰微(SH600460)$