10月17日的机构调研，不是针对三安的，是行业专家访谈。
其中有关于三安的部分。


Q：Cree的情况？国内的产能规划、量产的看法？
A：3万片/月6吋的SIC产能；此外，欧洲（英飞凌）、美国也在扩产能。扩张最厉害的是中国。
国内：都还在跑马圈地的阶段。像三安的衬底和外延实际的良率应该还是比较低（20%多）；天科合达只做沉底，不做外延和器件。目前国内还没有看到完全起量的。


Q：怎么看国内以及三安的SIC业务？
A：国内的企业需要花很多时间跑通衬底和外延的良率。三安是用一个笨但有效的办法，用100多个炉子在摸索。从器件角度来看，后续国内企业血拼最大的是二极管，二极管会成为一片红海。
国内具备SIC设计能力的人才积淀还是比较浅。国内的企业想做MOS还是很难的。怎么解决良率和生产的一致性是比较难解决的。国内具备SIC的MOS设计能力的人才非常少。

怎么理解三安和ST在衬底上的差别：1、三安拿的设备是跑通了衬底和外延，但它的技术路线导致的问题是良率比较低；2、由于人才储备的不同，三安（买设备）和ST（买产线和人）在SIC释放的能力肯定是不一样的（三安肯定比ST要差很多）