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24-5-14 16:34发布于澳大利亚 来自iPhone 12 Pro Max
【华为海思无需EUV、采用DUV并无需进行多重曝光的工艺]
类似英特尔DUV7纳米工艺的最终魔改版-最低可达1纳米制程的“基于芯轴/间隔件工程的图案化和金属化结合金属层分割和严格自对准通孔和切割(SAVC)“的SPIE论文终于公开。
3到5纳米(金属间距27.99纳米)的扫描电镜图和1纳米(金属间距12纳米)的远景规划图首次出现，作为对比，台积电的3纳米芯片制程金属间距为23纳米，intel的4纳米工艺金属间距为30纳米)电镜图
华为海思的自对准七重图形成像(SASP)WIPO专利申请号CN2022/097621。该专利的详细信息刚刚发表在2024年SPIE 高级光刻+图案化会议论文集中的题为“基于芯轴/间隔件工程的图案化和金属化结合金属层分割和严格自对准通孔和切割(SAVC)”的论文中披露，他们的惊人努力将在很快就在5月份出版的SPIE Proc(国际光学工程学会出版的会议论文集)上看到
唯一不好的是，该工艺看图是需要金属钌，它是地壳中含量最少的铂族金属元素，我国产量稀少，不过幸运的的是，世界上金属钌储量最丰富的是南非(70%~85%)、俄罗斯(10%~20%) Translate content