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相比于Si,SiC具有 10 倍的击穿电场强度、 3 倍的禁带、2倍的极限工作温度和超过2倍的饱和电子漂移速率。 SiC 还具有 3 倍的热导率,这意味着 3 倍于Si的冷却能力。

目前车用 SiC 功率元件市场主要由欧美 IDM 大厂掌控,关键供应商 STM(意法半导体)、ON Semi(安森美)、Wolfspeed、Infineon(英飞凌)以及 ROHM(罗姆)在此领域深耕已久,与各大车企及 Tier1 厂商互动密切。
$露笑科技(SZ002617)$ $东尼电子(SH603595)$ $三安光电(SH600703)$
引用:
2022-07-22 13:12
$三安光电(SH600703)$ $露笑科技(SZ002617)$ $东尼电子(SH603595)$
周末发酵题材:第三代半导体核心材料
【特点】耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。
【作用】碳化硅材料主要可以制出磷化硅基氮化镓射频器件和碳化硅...