近期HBM的热度仍在发酵，以存储技术著称的韩国芯片股涨势红火，推动中韩半导体指数$中韩半导体(931790)$上行。
我们不妨重申HBM的投资逻辑：AIGC模型需要AI服务器进行训练和推理→AI服务器采用中高端GPU是发展趋势→HBM具有高带宽、高容量、低延时、低功耗等优势，可作为GPU内存芯片加快AI数据处理速度；也即，无论是科技大厂间关于AI的“军备竞赛”，还是AI模型对下游千行百业的赋能，AI服务器需求的爆发或将持续带动HBM市场规模扩张，打开各存储厂业绩增长预期。
那么，这个热闹该怎么看呢？
相关性更强的无疑是手握技术与产品的公司。当下的HBM市场基本也是被三大存储巨头（SK海力士、三星、美光）瓜分，2022年三家市占率分别为50%、40%、10%。
（资料来源：TrendForce）
暂时领先的SK海力士占的是先行者的便宜：2014年与AMD联合开发全球首款HBM，之后持续研发迭代HBM2（2018）、HBM2E（2020）、HBM3（2021）、HBM3E（2023），并计划在2026年量产HBM4，可以说，SK海力士一手引领了从HBM1到HBM3E的技术路径，其发展方向主要以堆叠层数增加、速率/带宽/IO数量增长为主。以业界最新技术HBM3E（按堆叠层数可进一步细分为8层HBM3E和12层HBM3E）为例，作为英伟达此前唯一的HBM3供应商，SK海力士宣布已正式量产8层HBM3E，并在GTC大会上表示将率先向英伟达供应。（资料来源：TrendForce，GTC 2024）
在其身后，三星电子虎视眈眈，其布局直接从HBM2开始：2016年量产HBM2，2020年推出HBM2E，2021年推出HBM-PIM（存算一体）将内存半导体和AI处理器合二为一，2022年量产HBM3，2024年发布HBM3E。尤其令它的竞争对手感到危机感的是，三星前几天在GTC大会上公开了它的12层HBM3E实物并获得了黄仁勋认证，而据报道，英伟达最快预计将从9月开始大量购买三星的12层HBM3E，后者或成为英伟达12层HBM3E的独家供应商。须知，SK海力士虽然开始量产8层HBM3E，但因部分工程问题，并未能推出12层HBM3E，而12层HBM3E相对于8层HBM3E的好处正是其增幅超过50%的带宽和容量。（资料来源：TrendForce，alphabiz，中金公司）
相较于你追我赶的韩国公司，美国的美光更显低调。据TrendForce，该公司进军HBM相对较晚，2020年开始提供HBM2，并直接跳过HBM3布局HBM3E（2023），并同样在今年官宣量产8层HBM3E，此外，据美光透露，其8层HBM3E将供给英伟达的AI芯片H200 GPU。同样据公司透露，其HBM3E今年的产能已经全部卖光，明年的大部分产能也已经被预订。
市场火爆程度可见一斑。握有大手笔扩产计划的韩国公司们则更受青睐。
三星目前已花费105亿韩元购买韩国天安厂区内部分建筑及设备，计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，并预计追加投资7000亿-1万亿韩元。在此步调下，公司预计2024年HBM产量将比2023年增长2.5倍，2025年或将再次翻倍。
SK海力士亦预计2024年HBM产能有望同比翻倍增长、到2030年公司HBM出货量可达到每年1亿颗，还计划在美国印第安纳州建造一座先进制造工厂、并与闪存制造商铠侠在日本共同生产HBM。SK海力士也更舍得花钱：计划在2024年保持10万亿韩元的新增资本支出（比2023年增长近七成）以支持HBM产能增长。对于这家公司来说，决胜在当下，更在未来——
SK海力士计划在2026年发布并量产的HBM4可能会直接堆叠在逻辑芯片（GPU）上，而非像前几代一样放置在GPU一旁的中介层上。其可行性我们今天尚且不做讨论，只假设技术成立，那么过去逻辑芯片与存储芯片相互独立的情况将有可能被颠覆，面对一个逻辑+存储的融合体，我们所熟悉的半导体生态和产业分工可能会迎来巨震。
（资料来源：韩国中央日报（微信翻译））
这是技术进步的魅力，也是半导体行业正在发生的事情。本轮AI革命给基座产业带来的焕新，可能远远超乎我们想象。
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