碳化硅芯片可在300℃以上稳定工作,预计模块温度将达到175-200℃。传统功率模块中,芯片通过软钎焊接到基板上,连接界面一般为两相或三相合金系统,在温度变化过程中,连接界面通过形成金属化合物层使芯片、软钎焊料合金及基板之间形成互联。目前电子封装中常用的软钎焊料为含铅钎料或无铅钎料,其熔点基本在300℃以下,采用软钎焊工艺的功率模块结温一般低于150℃,当应用于温度为175-200℃甚至200℃以上的情况时,其连接层性能会急剧退化,影响模块工作的可靠性。
为了得到可靠性良好的功率模块,英飞凌在2006年推出了Easypack1的封装形式,分别采用单面银烧结技术和双面银烧结技术。通过相应的高温循环测试发现,相比于传统软钎焊工艺,采用单面银烧结技术的模块寿命提高了5-10倍,而采用双面银烧结技术的模块寿命提高了10以上。