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三星电子：作为先进的半导体技术厂商之一，三星电子已经开始批量生产基于3纳米（nm）全环绕栅极（GAA）制程工艺节点的芯片。
他们首次实现了GAA“多桥-通道场效应晶体管”（MBCFET™），通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时增加驱动电流以提高芯片性能。三星计划将这一技术扩大应用于移动处理器领域。
网页链接{Arm：三星宣布已利用其3纳米GAA处理技术对Arm最新的Cortex-X CPU进行了优化，准备将其提供给无晶圆厂芯片制造商。这将吸引更多无晶圆厂芯片制造商加入三星代工业务的客户名单}
IBM：虽然不是上市公司，但IBM也值得一提。他们已经成功制造出首颗2纳米芯片，采用了GAA技术，继承了FinFET的先进性能
三星电子：作为先进的半导体技术厂商之一，三星电子已经开始批量生产基于3纳米（nm）全环绕栅极（GAA）制程工艺节点的芯片。
他们首次实现了GAA“多桥-通道场效应晶体管”（MBCFET™），通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时增加驱动电流以提高芯片性能。三星计划将这一技术扩大应用于移动处理器领域。
网页链接{Arm：三星宣布已利用其3纳米GAA处理技术对Arm最新的Cortex-X CPU进行了优化，准备将其提供给无晶圆厂芯片制造商。这将吸引更多无晶圆厂芯片制造商加入三星代工业务的客户名单}
IBM：虽然不是上市公司，但IBM也值得一提。他们已经成功制造出首颗2纳米芯片，采用了GAA技术，继承了FinFET的先进性能
@仓都加满 GAAFET（Gate-All-Around Field-Effect Transistor，全环绕栅极场效应晶体管）技术是一种芯片制造技术，它可以使芯片制造厂商制造出更小、更快、更节能的芯片。而在美股中，有很多公司都在积极布局GAAFET技术，以提高芯片的性能和竞争力。但由于这些公司的业务和财务状况各不相同，因此它们对GAAFET技术的弹性也不同。目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商。该公司已于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。有消息称，英伟达已经跟三星就3nm GAA工艺制程进行了接洽，如果一切顺利则预定在2025年进行量产。AMD首席执行官苏姿丰也在比利时Imec ITF World 2024大会上披露，AMD计划采用3nm环绕栅极（GAA）技术量产下一代芯片。这些公司在GAAFET技术方面的投入和发展，将对未来的芯片市场产生重要影响。需要注意的是，科技行业的发展变化非常快，公司的业务和财务状况也可能随时发生变化。因此，对于美股中对GAAFET技术弹性最大的公司，需要密切关注行业动态和公司的发展情况。
AMD怎么样，
知名半导体公司，产品包括CPU、GPU和芯片组。
AMD在GAA技术的发展方面也有一定的影响力，并计划在未来的产品中采用GAA技术。
公司计划采用3nm环绕栅极（GAA）技术量产下一代芯片，
首席执行官苏姿丰在比利时Imec ITF World 2024大会上披露，采用3nm GAA晶体管可提升效率及性能。
下一阶段，AI硬件转向AI应用端了
弹性最大的，我估计得算$英特尔(INTC)$
1，应用材料
在GAA方面，应用材料预计基于GAA晶体管的尖端逻辑芯片将在2024财年走向大批量生产，晶体管结构从FinFET 向GAA的转变，拓展了应用材料的盈利空间。
2，三星电子
公司可能从AMD获得3纳米晶圆代工订单，除了考量台积电的产能，AMD提到将从3nm开始采用环栅（GAA）晶体管结构，以提高功效和性能，目前，三星电子是唯一在3纳米使用GAA结构的企业。
3，英特尔
英特尔计划采用3nm环绕栅极（GAA）技术量产下一代芯片，技术升级将提升芯片的性能和效率，使其产品具有更高的性能和更低的功耗，满足不断增长的市场需求。
要说弹性，我觉得英特尔吧，毕竟技术实力非常雄厚。
美股里GAA技术弹性最大的是三星电子，它是唯一在3纳米使用GAA结构的企业。此外，AMD也计划从3nm开始采用GAA晶体管结构，以提高功效和性能。因此，这两家公司可能是美股里对GAA技术弹性较大的公司。@仓都加满
Gaa目前最厉害的制作是三星。
最大的买家是AMD。
其他的都没有用这个技术，还是空白
GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。
其实 GAAFET 相当于 3D FinFET 的改良版，这项技术下的晶体管结构又变了，栅极和漏极不再是鳍片的样子，而是变成了一根根 “小棍子”，垂直穿过栅极，这样，栅极就能实现对源极、漏极的四面包裹。 GAAFET 和 3D FinFET 在实现原理和思路上有很多相似的地方。不管怎么说，从三接触面到四接触面，并且还被拆分成好几个四接触面，显然，这次栅极对电流的控制力又进一步提高了。
GAA 的这种设计也可以解决原来鳍片间距缩小的问题，并且在很大程度上解决栅极间距缩小后带来问题，例如电容效应等。总之，在 GAAFET 技术的巧妙帮助下，半导体制程工艺的进化之路还将进一步往前走，并将成为 5nm 之后大家经常听到的关键词。
三星还给自家 GAA 技术取了个独特的名字：Multi-Bridge Channel，简称 MBCFET。三星表示，他们会在 3nm 这一节点上使用 MBCFET 技术。MBCFET 相比纳米线技术拥有更大的栅极接触面积，从而在性能、功耗控制上会更加出色。就板片状的技术方案来说，三星透露其目前设计每个晶体管上堆叠 3 条板片，板片厚度为 5nm，板片之间的距离为 10nm，同时栅极长度为 12nm 等。在具体表现方面，三星还称第一代的 3nm MBCFET 相比 7nm FinFET 会有 35% 的性能提升，功耗会降低 50%，芯片面积则会缩减 45%，电压则可以下降到 0.7V。
值得一提的是，三星在 GAA 上也尝试了其他技术方案，不同方案在性能、功率方面的表现也不同，未来可以根据芯片应用场景的差异来匹配对应的方案。