ASML近日宣布已向另一家客户交付其第二套高NA EUV光刻系统，彰显了领先芯片制造商对下一代极紫外（EUV）光刻技术的浓厚兴趣。然而，目前尚不清楚ASML的客户是谁，即将获得这款配备0.55数值孔径的投影光学器件的EUV工具。
ASML首席商务官Christophe Fouquet在与分析师和投资者的电话会议上表示：“关于高NA（0.55 NA EUV），我们已经向客户交付了我们的首个系统，目前正在进行安装。”“本月我们开始交付第二套系统，安装工作也即将启动。”
回顾2023年底，ASML首次向英特尔交付了其首款高NA EUV光刻工具Twinscan EXE:5000。英特尔计划利用该系统学习其操作，并将其与英特尔14A制造工艺相结合，投入大规模生产，这需要数年的时间。通过早期探索基于高NA EUV的工艺技术，英特尔将为下一代光刻技术的发展奠定行业标准，从而在未来几年获得竞争优势。
ASML首席执行官Christophe Fouquet还提到：“在2月份的SPIE工业会议上，我们宣布了位于Veldhoven的ASML-Imec高NA联合实验室的高NA系统的首次亮相。”“我们已经获得了第一张图像，其分辨率低于10纳米，并有望在未来几周内开始曝光晶圆。所有High-NA客户都将使用该系统进行早期工艺开发。”
尽管台积电和Rapidus似乎不急于采用高NA EUV光刻系统进行大规模生产，但他们仍将在未来某个时候采用这项技术，这也是ASML对未来充满信心的原因。据悉，全球最大的晶圆厂工具制造商正在研发具有投影光学的Hyper-NA EUV光刻工具，其数值孔径高达0.7以上。
Fouquet指出：“客户对我们的[高NA]系统实验室表现出了极大的兴趣，因为该系统将帮助我们的逻辑和存储器客户准备将高NA技术应用于他们的技术路线图。”“相较于0.33 NA系统，0.55 NA系统提供了更精细的分辨率，使得晶体管密度增加了近3倍，而生产率保持相似，支持sub-2nm逻辑和sub-10nm DRAM节点。”
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