据路透社报道，全球领先的芯片生产设备制造商ASML和芯片巨头英特尔本周宣布，他们已经成功实现了高NA EUV（极紫外）光刻机的一个重要里程碑，即通过在晶圆上旋涂光阻来验证光源和反射镜功能。这一重要进展表明了该技术的可行性，尽管目前尚未达到最佳性能水平。
ASML的Twinscan EXE高NA EUV光刻系统具有0.55的数值孔径，使得单次曝光可以实现低至8纳米的分辨率，比传统的低NA EUV系统更加先进，后者仅能达到13.5纳米的分辨率。第一个Twinscan EXE系统目前位于荷兰维尔德霍芬的ASML实验室，而第二个系统则在美国俄勒冈州希尔斯伯勒附近的英特尔工厂进行组装。
ASML公司发言人马克·阿辛克（Marc Assinck）解释说：“从技术角度来看，这个‘第一道光’实际上是指‘晶圆上的第一道光’。光源已经开始工作，现在我们在晶圆上得到了‘抗蚀剂’光子。”
虽然成功实现了这一重要的“第一道光”，但ASML的专家们仍在荷兰进行高NA光刻机的校准，而英特尔则将其第一台Twinscan EXE:5000光刻机组装到了位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒附近的工厂。这台机器将主要用于工艺开发，为下一代芯片制造奠定基础。
此前的一次测试中，位于维尔德霍芬的机器已经成功地在硅片上展示了其性能，验证了其可以进行电路图案印刷的能力，这标志着高NA EUV光刻技术迈出了关键一步。
预计在未来几年内，包括英特尔、三星和台积电在内的主要芯片制造商将采用高NA EUV光刻技术。英特尔已表示计划将该系统应用于其即将推出的基于节点的英特尔14A一代芯片。
光源是任何EUV光刻工具中最复杂的组件之一，至今ASML和英特尔尚未透露Twinscan EXE光源的最大性能。
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