(报告出品方/作者:国金证券,樊志远、邓小路、刘妍雪)报告综述性能优异,第三代半导体应运而生。第三代半导体材料具有宽的禁带宽度, 高击穿电场、高热导率及高电子饱和速率,因而更适合于制作高温、高频及 大功率器件...