根据行业协会的定义，DRAM可以分为三种：1）主要用在电脑、服务器中的标准DDR，也就是常说的内存条；2）手机和汽车等移动终端领域的LPDDR系列；3）用在数据密集型场景的图形类DDR，HBM正是在这一分类下。
HBM是脱胎于普通的DRAM的升级产品，基于3D堆栈工艺（使用TSV技术将多个DRAM芯片堆叠起来，在增加带宽的同时，实现芯片间的高速通信和低功耗），可以实现更高的内存带宽和更低的能耗。
众所周知，大模型的智力涌现，依托于Scaling laws指导下的大力出奇迹，大模型对数据量和算力有着近乎无上限的需求，而算力的发动机GPU和存储池HBM，意外成为最大的受益者。
从流程上，英伟达首先设计完GPU，然后采购海力士的HBM，最后交由台积电利用CoWoS封装技术将GPU和HBM封装到一张片子上，最终交付给AI服务器厂商。英伟达、台积电、海力士，这三家公司共同构成了全球AI算力基座的铁三角。
当前DRAM已经基本被韩国三星、海力士以及美国美光所垄断。而从DRAM到HBM，抛开更高的资本开支不谈，还新增三大工艺难点：分别是TSV、MR-MUF、混合键合Hybrid Bonding。这一难度就相当从2D电影进阶到3D电影，完全是另一个维度的竞争。
从2024年起，HBM将继GPU之后成为各个国家在算力竞争的关键。目前韩国海力士和三星遥遥领先。哪怕美国在这个领域也是落后的，他们本土的代表性公司美光科技已奋起直追。而中国国内的大宗存储尚处在追赶状态，所以HBM的落后自然也就更多。目前，中国企业在HBM产业链上的存在感甚至还要落后于先进制程与GPU。如果说GPU只是人优我差的问题，HBM则是人有我无的问题。
虽然A股已经对HBM进行了一轮又一轮的炒作，但不得不承认的客观现实是，国内到现在无法量产HBM，这成为国内自研AI芯片的重大隐忧。国产的GPU和CoWoS封装工艺都已经解决了有没有的问题，已经进入量产爆发阶段，而HBM还遥遥无期。
昨天，美国修订对华半导体出口管制令，拟于4月4日生效。贸易保护主义形势下，靠自己是一条不得不走的路。由于国内在DRAM领域的落后，一家企业去主导HBM的突破非常困难，从产业链合力的角度更有望突破，HBM需要存储厂、晶圆代工厂、封测厂的通力合作。
根据工信部最新的产业信息，到2026年我国将具备量产HBM的能力，但这一速度显然还是有点跟不上日新月异的大模型需求。留给HBM中国队的时间唯“紧迫”二字。
相关公司分别有长江存储、长鑫存储，澜起科技、江波龙、北京君正、佰维存储、中芯国际、海光信息、卓胜微、通富微电、长电科技、华天科技等。