近日，全球存储芯片龙头SK海力士欲在韩国投资逾10亿美元，以优化芯片封装工艺、扩大高带宽内存（HBM）封装产能。
随着AI、物联网、无人驾驶、MR等科技飞速发展，芯片需求量持续增长，先进封装产能紧缺，各龙头厂商加大扩产力度：台积电等晶圆代工厂，英特尔、三星等IDM厂商，日月光等封测厂商纷纷增加先进封装产线。
先进封装概览
半导体制造可分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节；封装是将晶圆进行切割、焊线，使芯片电路与外部器件实现连接。随着芯片制程接近物理尺寸极限，通过先进封装对芯片进行封装级重构，从而提升芯片性能成为了新发展趋势。
先进封装就是将原来需要一次性流片的大芯片，改为制造若干颗小面积芯片，然后通过先进封装工艺，将这些芯粒组装成大芯片。
先进封装种类包括：倒装（FlipChip）、凸块（Bumping）、硅通孔(TSV)、晶圆级封装（WLP）、2.5D封装、3D封装。
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半导体设备概览
半导体设备技术壁垒高，研发难度大、周期长，是整个半导体产业最关键环节之一。按工艺流程，可分为前道设备（晶圆制造）和后道设备（封装测试）。
前道设备：光刻设备、显影设备、刻蚀设备、去胶设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、抛光设备等。
后道设备：划片机、减薄机、固晶机、键合机、模塑机、电镀设备、清洗设备等。
先进封装设备
先进封装在晶圆划片前融入封装工艺步骤，处于晶圆制造（前道）和芯片封测（后道）之间。先进封装设备由封装原有设备、新增中前道设备构成：
（1）封装原有设备：划片机、减薄机、固晶机、键合机、模塑机、电镀设备、清洗设备。
（2）新增中前道设备：光刻机、涂胶显影设备、薄膜沉积设备、刻蚀设备。
核心增量环节（前道设备）
1 光刻机
光刻是将芯片电路图从光刻版转印到晶圆表面的光刻胶上。光刻是晶圆生产核心环节，光刻机是半导体设备技术壁垒最高的设备。2.5D/3D封装需要TSV打孔实现堆叠芯片之间的垂直互联互通，钻孔需要光刻与刻蚀配合完成。
全光刻机厂商主要为阿斯麦ASML、尼康Nikon、佳能Canon；其中ASML占据82%全球市场份额，垄断高端EUV市场。
国内光刻设备厂商包括：上海微电子、芯碁微装。
2 涂胶显影设备
涂胶显影机作为光刻机的输入（曝光前光刻胶涂覆）、输出（曝光后图形显影），完成光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺。全球范围内，东京电子TEL一家独大，市场份额87%，其他厂商包括：迪恩士DNS、苏斯微SUSS、亿力鑫ELS、芯源微。
芯源微：国内唯一提供高端涂胶显影设备厂商，产品包括涂胶显影设备、湿法设备（清洗机、去胶机、刻蚀机）。
3 薄膜沉积设备
薄膜沉积是在半导体衬底材料上镀膜，在先进封装中，TSV在电镀前要先沉积种子层。薄膜沉积设备由国际巨头垄断，包括应用材料AMAT、东京电子TEL、泛林Lam。
国内厂商包括：拓荆科技、北方华创、中微公司。
拓荆科技：国内半导体薄膜沉积设备头部厂商，产品包括PECVD设备、ALD设备、SACVD设备。
北方华创：国内半导体设备龙头厂商，ICP刻蚀机国内领先，也是氧化/扩散炉、PVD设备龙头，覆盖芯片制造主要环节。
4 刻蚀设备
等离子蚀刻机使用干刻工艺进行薄膜刻蚀，从基材表面移除掉不需要的部分。目前国内刻蚀机技术已处于国际先进水平，主要厂商包括：中微公司、北方华创、富创精密。
中微公司：刻蚀设备龙头企业，产品包括刻蚀设备，MOCVD设备，VOC设备，介质刻蚀机已应用于3nm芯片生产线。
核心增量环节（后道设备）
1 划片机
划片机用于晶圆划片、分割，将芯片从其母片或衬底上切割下来。全球主要厂商包括：DISCO、东京精密、光力科技。
光力科技：半导体切割、划片设备国内龙头厂商。
2 减薄机
减薄机用于对晶圆进行切割和研磨，使其达到要求厚度，实现紧凑型堆叠和高密度封装。减薄机技术攻关难度大，日本DISCO、东京精密占据全球95%份额， 国内厂商有华海清科。
华海清科：国产CMP设备龙头厂商，全球市占率4%。
3 模塑机
模塑分为注塑成型、压塑成型两种工艺；压塑成型可实现超大超薄型基板封装。全球主要厂商包括：TOWA、YAMADA、文一科技、耐科装备。
文一科技：半导体封测设备供应商，产品包括封装模具、分选机、塑封压机、点胶机等。
4 电镀设备
电镀的原理是通过电化学反应，在半导体表面沉积必要的金属层，电化学沉积是主要工艺。电镀设备主要厂商包括：AMAT、LAM、盛美上海。
5 清洗设备
在半导体制造过程中，晶片表面往往会附着金属颗粒、有机物、氧化物等，需要对晶片进行清洗。清洗设备由全球龙头迪恩士、TEL、LAM、SEMES所垄断，合计市占率90%；国内厂商包括：盛美上海、至纯科技。
盛美上海：半导体清洗设备龙头，产品为半导体清洗设备、电镀设备、先进封装湿法设备。