铪（Hafnium，符号Hf）在高带宽存储器（HBM）中的应用主要体现在其作为关键材料的角色。铪在最新一代的HBM3中全面替代了二氧化硅（SiO2），作为高K（介电常数）材料使用。这一替代首次突破了摩尔定律的极限，因为铪基材料相比于传统的二氧化硅材料，能够提供更高的介电常数，这对于缩小晶体管尺寸、提高集成度和性能至关重要。
在HBM中，铪的使用量是普通DRAM的几倍之多，这主要是因为HBM技术需要更高的性能和更紧密的堆叠结构。铪的这些特性使其成为推动半导体技术进步的关键材料之一。随着HBM技术的不断发展和应用范围的扩大，对铪的需求也预计将持续增长。