由于三星2012年开始已经在西安投资75亿美元生产1X纳米级NAND产品（三星西安占地面积109万平方米，约1635亩，比韩国平泽项目占地面积增加约38%），新厂预计将主要生产逻辑芯片及DRAM。三星的此举大幅产能扩张，能够使2015年季度产能达到36万片，全年产能达到143万片，相对2014年DRAM容量位数增加24%。
近期，DRAM利润率远高于其他半导体芯片产品，10月7号，DRAM 4G颗粒价格在4美元，2G颗粒价格为2.25美元，而Micron和Hynix的64G Flash颗粒价格分别为3.2美元和2.5美元。在三星等龙头企业，DRAM产品息税前毛利率（EBIT）甚至能够达到40%到50%，而三星半导体整体业务的营业利润率仅为约20%。
高利润引得英雄折腰，2014年DRAM资本支出将由约75亿美元上扬35%到40%到约105亿美元。DRAM新增的产能，近期主要来自于三星L17厂，以及海力士M14厂，两者都在2015年投产。此外，如前所述，如果DRAM价格持续高温，而NAND厂商发展3D NAND以及SSD稍有不顺，很可能一些NAND产能将转为DRAM。
半导体业务仅占三星集团的18%，而其中的54%产品由三星公司自己内部消化。三星半导体业务总资产为765亿美元，2013年销售约350亿美元，经营利润64亿美元；147亿美元，对三星公司半导体业务来讲，也是个大数字。
无疑，率先宣布这样天量投资，是三星巩固自己市场垄断地位的敲山震虎震慑之作。
注：2014年第2季度，三星DRAM市场占有率为39%，超过第二名SKHynix公司11%个百分点，超过第3名Micron公司14个百分点，而其他所有小厂商合计市场占有率仅为8%，不到三星公司的一个零头。
