回复@Capital_12: 三星：由于工艺转化（1a DRAM 转 HBM，1z DRAM 转 1b DRAM，V6 NAND 转 V8 NAND），明年传统内存供给为负，涨价延续，正在讨论提升产能利用率…
$美光科技(MU)$ $中韩半导体ETF(SH513310)$ $江波龙(SZ301308)$//@Capital_12:回复@Capital_12:信号：1)三星涨价超预期，因为共识 Q3 是个位数涨幅(大约 5%-8%)…2)海力士/美光大概率会跟进提价…3) HBM 扩产+AI 需求支撑涨价…4)最重要，涨价将推动三星 DRAM 营业利润率在 Q4 或 25Q1 超过 HBM，意味着市场关注点将脱离第一阶段具有AI 属性的 HBM，进入到更广泛的存储周期第二阶段…$美光科技(MU)$ $中韩半导体ETF(SH513310)$ $西部数据(WDC)$