周末晚上听取了机构的调研纪要，讲述HBM存储的未来发展方向，我自己学习了一些，记录下来，形成投资计划，记录在雪球，后期可以验证是否正确。
HBM存储主要是算力的需求带来了存储的带宽，速度及能耗的更好的要求，用来匹配算力的增长，也就是大家说的“存力”。为了可以提高“存力”，HBM存储的主要工艺未来的三个方向基本是确定的：减薄工艺，TSV穿孔工艺以及键合/解键合工艺。
其实也不难理解，需要HBM的效率更高，那么需要多个芯片堆叠，那么减薄工艺就越来越重要，TSV穿孔工艺在于今后在一块芯片上的打孔会越来越密，因此这块的工艺要求也是越来越高，最后就是键合工艺。
三个方向上的一些投资标的：
其他很多标的还在挖掘中