三减一增，减银（银包铜解决方案）、减栅（无主栅工艺方案）、减硅（硅片薄片化）、增加转光膜（UV光转膜）

这券商咋都只推一个啊

#产能： 银浆产能1000吨、低温银浆200吨一年

#降银：1、印刷细线化；2、银包铜替换

#客户导入：低温银浆已量产供货国内外10家；银包铜5家通过可靠性，3家批量出货

#验证：①50%银包铜细栅已进入批量量产，在多家实证电站中运行，目前无异常；②43%银包铜细栅已通过4倍IEC可靠性测试，正在进行5倍测试；③65%主栅+50%细栅组件通过5倍IEC，正在进行6倍

减栅（迈为股份）：无主栅工艺方案

#目的：MBB银耗18mg/W，其中主栅8mg/W，NBB（无主栅）可有效降银耗。（目标12mg/W）

#工艺： 不同于第一代NBB（Smart Wire）用层压来焊接，迈为推出第二代NBB，串联动作和合金化同步实现，后点胶固化

#优点： ①对准要求低②超低温焊接（180度左右）③低银耗④焊接可监控

减硅（高测股份）：硅片薄片化

#厚度：HJT已实现120μm硅片规模化量产，更薄硅片（80μm）研发中。

#细线化：目前应用34/36μm，测试最细30μm以下

#工艺：HJT半片切割调整到硅片环节，不影响产能情况下实现双棒切割。

增光（赛伍技术）：UV光转膜

#结构：EPE胶膜+UV光转物质"镭博"

#价格：UV光转膜约20元/平（溢价10元），成本13-15元

#原理：UV（紫外线）会使HJT电池中非晶或微晶硅表面Si-H基团破坏，造成组件功率衰减。现有封装方案为EPE截止膜滤过UV，造成组件功率偏低。光转膜将紫外转为可见光（蓝光），避免衰减并增加能量利用。

#可靠性：光转膜封装组件满足3倍IEC，"镭博">50年可靠性

#实证：光转膜组件比截止膜组件STC功率平均高1.22%；单瓦发电量比高透膜高3.19%/截止膜组件高0.9%。实证3月后光转膜HJT组件平均衰减率0.30%（PERC为0.84%，）。

#HJT其他材料：高阻水封边胶（客户测试中，代替丁基胶）、非铝高阻水背板（在研）