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1月24-26日,湖南三安携8英寸碳化硅(SiC)晶碇、衬底、外延,车规级SiC二极管、MOSFET产品,以及多场景应用解决方案亮相第38届日本国际电子展NEPCON JAPAN 2024
文章显示:目前,湖南三安有:
1、SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品,已广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货,累计出货量超2亿颗;
2、SiC MOSFET方面,湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品,目前正在数家战略客户进行模块验证;
3、湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET,已在重点客户批量导入
即:
1、SiC SBD:累计出货量超2亿颗
2、SiC MOSFET:勇闯日本电子展...不期待吗???