在2024年IEEE VLSI研讨会上，英特尔（Intel）正式介绍了其最新的Intel 3节点技术细节。作为英特尔最后一代FinFET节点，Intel 3节点在电晶体密度和性能方面均实现了显著提升。英特尔计划在Intel 3之后转向使用GAA（环绕式闸极结构）的RibbonFET，进入Intel 20A及Intel 18A节点。
Intel 3节点在继承前代技术的基础上，增加了更多的EUV（极紫外光刻）步骤，旨在满足市场对长期代工服务的需求。为此，英特尔还推出了三个增强或特殊制程，以应对不同应用场景的需求。
其中，Intel 3-E支持1.2V高电压，非常适合模拟模块的制造。Intel 3-PT则通过支持更精细的9μm间距TSV（矽穿孔）和混合键合，进一步提升整体性能，特别适用于人工智慧与高效能运算处理器。这些改进使得Intel 3-PT成为主流选择，并将与埃米级制程一起代工，满足内外部客户的需求。
在晶体管密度方面，Intel 3节点导入了210纳米高密度函式库，相较于Intel 4的240纳米高性能库（HP库），提供了更多性能取向的可能性。英特尔声称，基础Intel 3制程在采用高密度函式库的情况下，计算性能较Intel 4提升最多可达18%。同时，标准Intel 3节点的晶体管密度也增加了10%，实现了全节点级别的效能提升目标。
在金属布线层方面，Intel 3节点提供了更多选择。在原有的14+2层基础上，新增了12+2和19+2两种选项，分别针对低成本和高性能市场应用。每个金属层的M0和M1等关键层与Intel 4的间距相同，但将M2和M4的间距从45纳米降至42纳米，从而进一步提升性能和降低成本。
英特尔的四年五节点目标也取得了显著进展。英特尔宣布已经完成了Intel 7和Intel 4节点的研发，并成功进入量产阶段。上半年将推动Intel 20A的量产，下半年则计划推出Intel 18A节点。这些进展显示了英特尔在先进制程技术上的强大研发能力和市场竞争力。
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