▲中间缺失1个硫族原子的TMD中间层示意图。
无论好坏,科学家必须了解引发缺陷的原因并加以利用。之前,科学家发现块状TMD含有多余电子,现在Shoaib Khalid团队指出,这些多出的电子可能由氢气引起。
根据缺陷的类型与性质,材料也会有不同表现与性能。比如多余电子会形成n型半导体材料,失去电子留下电洞则使材料成为p型。至于我们还要等多久才能看到TMD材料的应用?专家认为,到2030年可能就会出现实际用于设备的TMD晶体管。
编辑:芯智讯-林子